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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

碳化硅肖特基二极管的优点及应用

碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极...

2020-11-17 标签：肖特基二极管碳化硅 6417 0

碳化硅晶片生产工艺流程

采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点。

2023-09-27 标签：SiC 电磁感应硅晶片 6416 0

半导体材料知识介绍

硅是最常见的半导体材料，它具有稳定性好、成本低、加工工艺成熟等优点。硅材料可以制成单晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中单晶硅在制造集成电路方面应用最广泛。...

2023-07-13 标签：半导体单晶硅碳化硅 6343 0

碳化硅MOS、超结MOS与IGBT性能比较

Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。

2024-03-19 标签：二极管 IGBT MOS 6334 0

MOS_DS电压尖峰产生的原因

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。

2023-05-19 标签：MOSFET MOS管 SiC 6318 0

深入了解Soitec的SmartSiC技术

在电动汽车的逆变器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代传统的硅基逆变器时，SiC 解决方案将带来约 5-10% 的效率提升。

2023-07-11 标签：电动汽车 MOSFET 逆变器 6185 0

采用碳化硅功率器件的UPS更加高效节能而冷却需求却在下降

合成的碳化硅粉末自1893年以来已经批量生产,采用碳化硅制造的IGBT最初的成本很高,但节能效果也很显著,而且所有这些都不会将关键负荷转移到电网中,不会...

2018-01-06 标签：ups igbt 碳化硅 6110 0

介绍碳化硅产品的应用方向和生产过程

相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。

2022-10-14 标签：逆变器无线充电 DCDC电源 6064 0

氮化镓晶体管的结构及优缺点

　　氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参...

2023-02-09 标签：MOSFET 晶体管氮化镓 5990 0

碳化硅跟石墨怎样分辨？哪个比较好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

2023-02-17 标签：SiC 电阻炉碳化硅 5989 0

SiC MOSFET的实时结温监控电路测量方案

本文介绍了一种新颖的测量电路，以测量用于测量SiC MOSFET的实时或实际结温。可以看出，出于订购和处理数据或电流传感器的目的，不需要本质上复杂的任何算法。

2021-04-23 标签：MOSFET 监控电路 SiC 5817 0

碳化硅的用途有哪些？碳化硅在高温下能与氧发生反应吗？

作为金属脱氧剂，碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，各项理化性能稳定，脱氧效果好，时间缩短，提高炼钢效率，提高钢的质量，...

2023-02-27 标签：多晶硅单晶硅碳化硅 5774 0

碳化硅在电子产品中的应用（2）

功率电子是基础产业;所有电力设备都将使用某种形式的电源管理器件。因此，功率器件的进步也推动了大量应用的进展。这就是为何看到使用WBG材料的功率电子是很常...

2018-09-25 标签：半导体电源管理碳化硅 5462 0

碳化硅的激光切割技术介绍

晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料...

2024-01-23 标签：半导体晶片激光切割技术 5362 0

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度...

2023-02-03 标签：电阻率碳化硅导电率 5360 0

半导体产业盛会_出席参展今年度SEMICON China 2018

SEMICON China规模持续扩大，已是近6年全球最大、影响力最广的半导体产业盛会，汇集全球半导体晶圆厂商共襄盛举。SEMICON China做为全...

2018-03-09 标签：半导体晶圆碳化硅 5266 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

该团队开发了一个生长3C-SiC的液相TSSG长晶设备，其生长过程是这样的：首先，在高温石墨坩埚区域中溶解C粉；然后在对流作用下，将C粉从高温区输送到低...

2023-04-24 标签：功率器件 SiC 碳化硅 5218 0

从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比

派恩杰半导体认为，Cascode结构只是从Si产品转向SiC产品的一个过渡产品，因为Cascode结构完全无法发挥出SiC器件的独特优势。

2022-02-23 标签：MOSFET 碳化硅 5176 0

电机碳化硅技术指标是什么碳化硅国家技术标准介绍

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在多个领域得到广泛的应用，并且展现出了良好的发展前景。

2023-02-02 标签：电动车 SiC 碳化硅 5171 0

SiC器件不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理和应用领域

SiC 晶体中不同类型的位错通常是根据腐蚀坑的形貌和尺寸来完成定量分析的。如图 7（a）所示，大六边形没有底部的腐蚀坑代表 MP，中六边形有底部的腐蚀...

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