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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅件研发和封装测试四个部分,分别占市场总成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM为主要...
纯SiC晶体是通过Lely升华技术生长的。晶体主要是6H-SiC,但包括其它多型体。1978年,Tairov和Tsvetkov发明了一种可复制的SiC晶...
基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三...
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单...
宽禁带半导体,指的是价带和导带之间的能量偏差(带隙)大,决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。更宽的带隙允许器件能够在更高的电压、温度和频率下工作。
意法半导体生产200毫米碳化硅大晶圆,将用于功率器件原型设计
碳化硅(SiC)晶圆经常出现在新闻中,这一事实预示着这种宽带隙(WBG)材料作为颠覆性半导体技术的证书,适用于更小、更轻、更高效的电力电子设备。
一旦硅开始达不到电路需求,碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比,这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产...
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合...
到20世纪中叶,电力已然在人们的生活中发挥着重要作用。爱迪生发明的电灯通过照亮街道、工厂和住宅,提高了生产力、生活质量和安全性;通过高效电机实现的制冷,...
碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更...
离子注入是一种向半导体材料内加入一定数量和种类的杂质,以改变其电学性能的方法,可以精确控制掺入的杂质数量和分布情况。
在过去几年中,半导体行业出现了新一代高功率开关,并开始商业化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望显著降低开关损耗,并允许比目前使用纯硅(Si)器件更高的...
硅功率器件已经达到了它们的材料极限,已经达到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,为汽车行业提供快速开关、高效的器件性能。然而,它们距离充分发挥...
电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加,并且在众多新技术中发挥着核心作用,包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深...
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。表1-1显示了每种半导体材料的电气特性。SiC具有优异的介电击穿场强(击穿场)和带隙...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比,SiC具有许多优势,包括10倍的击穿电场强度,3倍的带隙,以及实现器件结构所需的更广泛的p型...
碳化硅(SiC)是化合物半导体材料之一,具有独特的材料性能。例如,它具有高电击穿强度(硅的十倍)和导热性(硅的三倍)。这些特性吸引了研究人员和工程师的更...
二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁...
紫外(UV)光谱可分为UV-A(315~400 nm)、UV-B(280~315 nm)和UV-C(200~280 nm)频段。由于敏感光谱带宽很宽,因...
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