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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似,主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升...
该方案基于NXP Power架构主控MCU平台,融合了ON隔离预驱芯片及碳化硅功率器件,以及NXP电源管理芯片,可实现汽车功能安全标准ISO26262的...
2022-10-31 标签:逆变器碳化硅SiC MOSFET 721 0
碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似,主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升...
在新能源汽车方面主要应用在DC/AC逆变器、DC/DC转换器;3)在工业领域方面主要应用在电力配送、铁路运输、光伏产业、电机控制以及风电涡轮机。
尽管 5G 提升了带宽,但其更高的频率更容易造成信号衰减。由于更高的带宽会导致更低的信噪比(SNR),增加带宽并不会导致容量的线性增加。解决这一问题的一...
相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。
作为半导体产业中的衬底材料,碳化硅单晶具有优异的热、电性能,在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器...
近年来,半导体行业最为火热的话题非宽禁带半导体莫属,如碳化硅(SiC)。由于其优越的物理和电气特性,如高能量带隙(eV),高临界击穿场强(MV/cm)和...
使用 SPARC 或单个前驱体活化自由基腔室技术制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具备密度大、坚固耐用、介电常数低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...
表面贴装功率器件(SMPD) 封装提供了功率能力、功耗以及易于布局和组装的最佳组合,可帮助设计人员在不显着增加所构建系统的尺寸和重量的情况下增加输出功率。
近几年,碳化硅作为一种无机材料,其热度可与“半导体”、“芯片”、“集成电路”等相提并论,它除了是制造芯片的战略性半导体材料外,因其独有的特性和优势受到其...
续航以及补能问题一直是困扰电动汽车发展的因素,当前主流电动汽车的电气系统电压范围在230V-480V,在相关法规政策明确限定充电桩充电电流的情况下,电动...
对于多数电动汽车用户来说,在家或是在公司进行目的地充电应该是更常用,也是更理想的方式,这样可以免去频繁跑直流充电站的烦恼。而车载充电机 OBC(On-b...
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