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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

深度解析碳化硅功率器件原理和优势

SiC市场格局仍由海外巨头主导，市占率排名依次是：意法半导体、英飞凌、wolfspeed、罗姆、安森美、三菱电机等。

2024-04-01 标签：功率器件 SiC 碳化硅 3012 0

碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点，是替代高压硅MOSFET 的理想器件之一。

2024-04-01 标签：MOSFET 变换器电源供电 2363 0

电源解决方案跟摩尔定律有何关系？它如何跟上摩尔定律的步伐？

根据电源解决方案或与功耗、能源效率或整体能源或碳足迹相关的分析来对任何系统（或系统集合）进行分析时，将源与负载分开出来能帮助整个过程。

2024-03-28 标签：摩尔定律晶体管碳化硅 838 0

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特...

2024-03-28 标签：电容器 MOSFET 安森美 1389 0

探秘功率二极管反向恢复抑制的三大法宝

为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。一种思路是从器件本身出发，寻找新的材料力图从根本上解决这一问题，比如碳化硅二极管的出现带来了器件革命的...

2024-03-27 标签：二极管功率二极管 emi 1963 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能够在极端条件下高效地控制电力的流动。SiC材料的宽带隙特性意味着它在高温下仍能维持较高的能量障碍，从而保持稳定的半导体特性。

2024-03-26 标签：功率器件 SiC 碳化硅 396 0

碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究

Si-Si键能大小为 310 kJ/mol，可以理解键能是把这两个原子拉开的力度，键能越大，需要拉开的力越大。 Si-C键原子间距为 1.89 Å，...

2024-03-26 标签：SiC 晶片光刻机 977 0

安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。

2024-03-26 标签：电动汽车 MOSFET 安森美 1677 0

碳化硅功率器件：革新未来能源与电力电子技术的关键材料

随着全球对高效能源的不断追求和电子技术的快速发展，传统的硅基功率器件已逐渐达到其性能边界。

2024-03-21 标签：电动汽车功率器件 SiC 562 0

碳化硅MOS、超结MOS与IGBT性能比较

Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。

2024-03-19 标签：二极管 IGBT MOS 6281 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。

2024-03-19 标签：功率转换功率器件 SiC 634 0

中国碳化硅衬底价格2024年快速滑落 800V的春天看来要到了

国际半导体IDM厂商，如意法半导体、英飞凌、安森美、罗姆电子等，在中国市场仍然占据碳化硅元件的重要地位。消息人士补充，外国汽车品牌或与中国合资的汽车品牌...

2024-03-14 标签：SiC 碳化硅射频器件 1298 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圆厂投资引发市场疑虑

虽然Infineon是欧洲五大芯片制造商之一，但他的作风一向非常低调。就连Infineon的收购行动也常常被低调处理。

2024-03-14 标签：SiC Infineon 碳化硅 251 0

探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用场景

碳化硅功率器件利用SiC半导体材料制成。SiC是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更高的电子饱和漂移速度和热导率，以及更高的临界击穿电场强度。

2024-03-14 标签：功率器件 SiC 碳化硅 495 0

基于碳化硅（SiC）材料打造的主驱逆变器即将大规模“上车”

在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驱逆变器。

2024-03-13 标签：新能源汽车 MOSFET 逆变器 1644 0

碳化硅（SiC）功率器件核心优势及技术挑战

SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的...

2024-03-08 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1446 0

一文详解杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响

IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。

2024-03-08 标签：IGBT 功率模块碳化硅 1855 0

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带...

2024-03-07 标签：MOSFET 功率器件互连技术 1445 0

光刻机精密碳化硅陶瓷部件揭秘

集成电路制造关键装备要求零部件材料具有高纯度、高致密度、高强度、高弹性模量、高导热系数和低热膨胀系数等特点，且且结构件要具有极高的尺寸精度和结构复杂性，...

2024-03-07 标签：集成电路光刻机光刻技术 990 0

浅谈SiC晶体材料的主流生长技术

在SiC晶体的扩径生长上比较困难，比如我们有了4英寸的晶体，想把晶体直径扩展到6英寸或者8英寸上，需要花费的周期特别长。

2024-03-04 标签：晶体 SiC 碳化硅 772 0

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