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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率...
氮化镓(GaN)芯片是一种新型的功率半导体器件,具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化镓芯片的详细介绍。 优点: 1.高频率特性:GaN芯片具有优秀的高...
碳化硅功率器件具有耐高压、开关速度快和导通损耗低等优点,因此正在逐渐成为电力变换系 统的核心器件,尤其在新能源汽车、可再生能源、储能、数据中心、轨道交通...
碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是...
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和...
碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽...
随着云计算的概念越来越流行,数据量越来越大,数据中心每天都在改进,最终开始以更快的速度增长。它们已成为最大和最快的能源消耗来源,而 UPS(不间断电源)...
2021-06-14 标签:整流器碳化硅SiC MOSFET 2847 0
摘要:近些年,在市场应用驱动下,半导体激光器的输出功率越来越高,器件产生的热量也在增加,同时封装结构要求也更加紧凑,这对半导体激光器的热管理提出了更高的...
SOI独特的“Si/绝缘层/Si”三层结构,带来了诸多优势:首先,“绝缘埋层”实现了器件功能有源部分和衬底的全介质隔离,减小了寄生电容,开关频率得以提高。
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率...
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