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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

碳化硅功率器件的发展现状及其在电力系统中的应用展望

碳化硅作为一种宽禁带材料，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点，可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率...

2023-01-31 标签：半导体电力系统功率器件 2812 0

三相1200V/450A SiC MOSFET电动汽车智能功率模块

该智能功率模块是为高热环境的稳定性应用而设计的，额定的最高结温为 175℃。栅极驱动器本身具备在最高环境工作温度为 125℃的情况下、长时间工作的增强...

2020-06-12 标签：电动汽车 MOSFET 电机驱动 2742 0

什么是碳化硅功率模块？为什么碳化硅功率模块是某些应用的首选？

如今，功率半导体使用最广泛的材料是硅。硅的生产成本低廉，而且该技术广为人知。

2023-11-25 标签：MOSFET SiC 功率半导体 2733 0

宽禁带半导体概述碳化硅寿命面临什么挑战

宽禁带半导体，指的是价带和导带之间的能量偏差(带隙)大，决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。更宽的带隙允许器件能够在更高的电压、温度和频率下工作。

2022-12-19 标签：碳化硅宽禁带半导体 2717 0

碳化硅二极管是什么意思碳化硅二极管如何测量好坏

　　碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表...

2023-02-10 标签：二极管半导体开关电源 2713 0

如何有效地检测Sic MOSFETn方案

碳化硅二极管具有非常快速的恢复时间，这可提高开关速率，并减小磁性元件和其它无源元件的尺寸，从而使最终产品具有更高的功率密度。

2021-01-06 标签：肖特基二极管碳化硅宽禁带半导体 2697 0

8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征

使用物理气相传输法（PVT）制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单...

2022-12-20 标签：半导体单晶 SiC 2695 0

碳化硅技术特性与应用领域

SiC 的禁带宽度是硅片的3+倍，保证了SiC 器件在高温条件下的工作稳定性，减少因高温造成的器件故障现象。

2023-02-15 标签：碳化硅 sic器件 2662 0

基于碳化硅的PIN紫外光电探测器仿真介绍

随着碳化硅等第三代半导体材料的制备和研究工作取得巨大的进展，对基于碳化硅材料的紫外探测器件的研究得到了业界更多的关注。

2023-04-24 标签：半导体 PIN管光电探测器 2638 0

氮化镓的应用及如何制备

进入90年代以后，第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现，使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初，碳化硅，氮化镓等具有宽禁带的第...

2023-02-06 标签：半导体材料氮化镓碳化硅 2638 0

SiC对电力电子的挑战碳化硅组件的制造过程

由于SiC具有高导热性，因此它比其他半导体材料更快地散发热量。因此，SiC器件可以在极高的功率水平下运行，并且仍然可以散发器件产生的大量多余热量。

2021-05-13 标签：SiC 碳化硅 2627 0

简述碳化硅材料特点及优势

碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料...

2023-02-03 标签：功率半导体硅材料碳化硅 2596 0

碳化硅技术在电源逆变器上的应用！

碳化硅(SiC)是化合物半导体材料之一，具有独特的材料性能。例如，它具有高电击穿强度(硅的十倍)和导热性(硅的三倍)。这些特性吸引了研究人员和工程师的更...

2022-11-17 标签：SiC 电源逆变器碳化硅 2583 0

氮化铝的研究历史、特征及应用

近几年，碳化硅作为一种无机材料，其热度可与“半导体”、“芯片”、“集成电路”等相提并论，它除了是制造芯片的战略性半导体材料外，因其独有的特性和优势受到其...

2022-09-27 标签：半导体射频陶瓷材料 2573 0

碳化硅在电动汽车的应用方案

碳化硅 (SiC) 是一项创新技术，将在许多应用中取代硅 (Si)。将 SiC 用于电动汽车 (EV) 的想法诞生于努力提高此类车辆的效率和续航里程，同...

2022-07-27 标签：电动汽车英飞凌碳化硅 2545 0

SiC-MOSFET与IGBT的区别是什么

相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减...

2023-09-11 标签：MOSFET 元器件导通电阻 2538 0

碳化硅外延设备技术研究

与传统半导体材料硅、锗相比，第三代半导体材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、高温稳定性好以及...

2023-12-18 标签：半导体半导体材料 SiC 2533 0

碳化硅功率器件在中高压电力电子系统中的应用优势

光伏，电动汽车，储能充电等电力电子系统向更高电压发展是目前行业中的趋势。

2022-08-01 标签：功率器件碳化硅瑞能半导体 2529 0

不同类型二极管的关断行为

近年来，半导体行业最为火热的话题非宽禁带半导体莫属，如碳化硅(SiC)。由于其优越的物理和电气特性，如高能量带隙(eV)，高临界击穿场强(MV/cm)和...

2022-10-08 标签：二极管 MOSFET SBD 2503 0

基于无芯变压器技术的栅极驱动器

功率器件在工业和汽车系统的设计中起着决定性的作用。为了满足这些应用的特定要求并缩短上市时间，ROHM使用专有的微制造工艺来开发无核片上变压器，以实现稳健...

2021-04-12 标签：变压器 MOSFET 碳化硅 2482 0

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