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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

碳化硅在新能源车中的主要应用

新能源汽车的加速性能与动力系统输出的最大功率和最大扭矩密切相关，碳化硅（SiC）技术允许驱动电机在低转速时承受更大输入功率，且不怕电流过大导致的热效应和...

2023-06-27 标签：新能源汽车驱动器 SiC 2479 0

碳化硅器件制造那些事儿

离子注入是一种向半导体材料内加入一定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制掺入的杂质数量和分布情况。

2022-11-30 标签：制造功率半导体碳化硅 2441 0

基本半导体之碳化硅MOSFET和充电桩详解

交流充电桩：本质是一个带控制的插座，主要包含交流电表、控制主板、显示屏、急停旋钮、交流接触器、充电枪线等结构，结构较为简单，需要车载充电机自己进行变压...

2023-02-07 标签：MOSFET 充电桩碳化硅 2427 0

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有...

2023-10-12 标签：SiC 氮化镓电子开关 2426 1

切割工艺参数对6英寸N型碳化硅晶片的影响

采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优...

2023-08-09 标签：半导体功率器件晶片 2405 0

3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表现出巨大的应用前景，其中金属-氧化物-场效应晶体管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 标签：MOSFET 光伏晶体管 2403 0

碳化硅MOSFET对比硅IGBT的优势

　　开关器件在运行过程中存在短路风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

2023-02-12 标签：MOSFET IGBT 开关器件 2402 0

碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点，是替代高压硅MOSFET 的理想器件之一。

2024-04-01 标签：MOSFET 变换器电源供电 2397 0

下一代高压SiC MOSFET的可靠性和稳健性测试

在当今这一代，电力电子设备几乎在从交流适配器到传输系统的各个领域都有应用。这些器件包含硅 (Si) 作为低压和高压器件的主要元素。然而，随着半导体行业的...

2022-07-29 标签：MOSFET SiC 碳化硅 2397 0

碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。

2021-07-04 标签：SiC 电机驱动器碳化硅 2382 0

碳化硅的阈值电压稳定性

碳化硅SiC MOSFET的阈值电压稳定性相对Si材料来讲，是比较差的，对应用端的影响也很大。

2023-05-30 标签：MOSFET 逆变器 SiC 2360 0

PFC拓扑比较：交错式升压拓扑与图腾柱拓扑

电子设备越来越多地接入电网，这增加了电网的失真几率，也使配电网络容易产生问题。为缓解这些问题，电源设计需要先进的功率因数校正 (PFC) 电路来满足严格...

2023-08-02 标签：功率因数 PFC SiC 2345 0

特斯拉的三电核心技术技术分析

特斯拉车型采用CTC技术后，续航里程得到大幅提升、每千瓦时电池生产成本和资本投入也实现有效降低。

2023-03-31 标签：动力电池逆变器特斯拉 2345 0

碳化硅单晶衬底的常用检测技术

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向...

2024-01-17 标签：半导体晶体管 SiC 2332 0

确保SiC验证测试准确度，有效测量碳化硅功率电子系统中的信号

在功率电子系统中，差分探头和参考地电平探头是两种常用的电压测量方法。差分探头是一种流行的选择，因为它可以毫无问题地添加到电路的任意节点中。

2021-07-13 标签：电子系统 SiC 碳化硅 2305 0

碳化硅功率模块封装中4个关键问题的分析与研究

SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合...

2022-12-12 标签：MOSFET 封装碳化硅 2278 0

SiC和Si的应用各种SiC功率器件的特性

碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，...

2023-04-13 标签：转换器电源逆变器碳化硅 2277 0

面向汽车应用的下一代高压离散电源产品

电动汽车的激增将功率半导体性能的边界推向了新的高度。传统上，硅功率器件已用于控制汽车中的各种功率电子系统，例如用于主逆变器电机，泵，HVAC压缩机，制动...

2021-05-18 标签：电动汽车二极管 IGBT 2271 0

意法半导体SiC MOSFET的路线图

显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品，第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向，但意法半导体要到2025年才开始推出。

2023-03-14 标签：MOSFET 特斯拉 SiC 2270 0

在半导体行业中碳化硅有哪些应用呢？

碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了

2023-02-07 标签：半导体 SiC 碳化硅 2263 0

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