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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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国产SiC碳化硅模块解决工商业储能PCS多维度痛点的技术优势
BMF240R12E2G3解决工商业储能PCS多维度痛点的技术优势分析 一、效率提升:高频、低损耗与高温稳定性 低导通电阻与开关损耗优势 BMF240R...
碳化硅功率半导体的高国产化程度是中国制造2025战略的典型成果,通过 政策引导、产业链整合、技术创新与市场需求共振 ,实现了从“进口替代”到“全球竞争”...
2025被广泛视为SiC碳化硅在电力电子应用中全面替代IGBT的元年
2025年被广泛视为碳化硅(SiC)器件在电力电子应用中全面替代IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的元年,在于国产SiC(碳化硅)单管和模块价格首次低于进口...
东芝TLP5814H 具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,最新推出一款可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“ TLP5814H ”,具备...
近日,博世汽车电子中国区(ME-CN)在苏州五厂建成碳化硅(SiC)功率模块生产基地,并于2025年1月成功下线首批产品。这标志着博世在全球碳化硅功率模...
国产碳化硅功率器件赋能飞跨电容升压方案取代2000V器件两电平方案
国产碳化硅功率器件赋能飞跨电容MPPT方案取代2000V器件两电平升压方案 一、飞跨电容三电平技术的专利归属与特色 1. 专利归属:中国企业主导核心技术...
CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示
中国碳化硅衬底材料从受制于人到实现自主突破的历程,以及由此对国产碳化硅功率半导体企业的启示,可以归纳为以下几个关键点: 一、从垄断到突破:中国碳化硅材...
近日,士兰微电子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生产线项目(厦门士兰集宏一期)正式封顶。封顶仪式现场,海沧台商投资区管委会副主任眭国瑜,士兰微电子...
近日,威睿电动汽车技术(宁波)有限公司(简称“威睿公司”)2024年度供应商伙伴大会于浙江宁波顺利召开。纳微达斯(无锡)半导体有限公司(简称“纳微半导体...
士兰微厦门 8 英寸碳化硅功率器件产线(一期)封顶:力争明年一季度投产
3 月 3 日消息,国内功率半导体 IDM 企业士兰微电子今日宣布,其投资 70 亿元建设的厦门海沧区 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生产线(...
安意法合资工厂通线启示:国产自主品牌碳化硅功率半导体的自强之路
近日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆工厂正式通线,预计2025年四季度批量生产,形成了合资碳化硅功率器件的鲶鱼效应,结合过去...
超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析
随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全...
国产碳化硅MOSFET行业乱象的深度分析,产品乱象本质上是技术追赶期“速度”与“质量”失衡的产物。唯有通过技术深耕、标准完善与生态重构,才能实现从“低端...
电子发烧友网综合报道 近期碳化硅衬底供应商天科合达与微纳光电器件公司慕德微纳共同出资成立合资公司,双方将在AR衍射光波导镜片技术研发与市场推广方面展开...
从国产SiC器件质量问题频发的乱象看碳化硅功率半导体行业洗牌
近期,多家客户接连发生国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体质量问题,严重打击了终端客户的信心和一定程度影响到了SiC碳化硅功率半导体国产化替代进程,从...
三安意法重庆8英寸碳化硅项目正式通线 将在2025年四季度实现批量生产
2月27日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产,这将成为国内首条8英寸车规级...
三安光电和意法半导体于2023年6月共同宣布在重庆成立8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(安意法半导体有限公司,简称安意法),全面落成后预计总投资约为230亿元...
随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及,全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作为一种新型宽禁带半导体...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驱动隔离供电的性价比最优解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趋势中,驱动隔离供电方案的性能与成本成为关键制约因素。基本半导体的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
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