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离子束技术

FIB机台的内部结构

简单介绍FIB机台的内部结构。首先，让我们看一下FIB机台的外观图接下来，我们将FIB从中线剖开，是下图这个样子：什么是双束聚焦离子束显微镜？...

2024-12-18 标签：fib 电子束离子束 56 0

聚焦离子束系统的结构、工作原理及聚焦离子束双束系统

尺度的测量与制造纳米技术，作为全球科研的热点，关键在于其能够在纳米级别进行精确的测量和制造。纳米测量技术负责收集和处理数据，而纳米加工技术则是实现微观制...

2024-12-17 标签：测量显微镜离子束 65 0

不同材料的 EBSD 样品制备方法

EBSD技术的重要地位与样品制备基础经济快速发展以来，电子背散射衍射技术（EBSD）便在金属材料研究领域崭露头角，成为不可或缺的关键工具，有力地促进了材...

2024-12-17 标签：材料金属材料离子束 76 0

聚焦离子束技术的历史发展

聚焦离子束（FIB）技术的演变与应用聚焦离子束（FIB）技术已经成为现代科技领域中不可或缺的一部分，尤其是在半导体制造和微纳加工领域。尽管FIB技术已经...

2024-12-05 标签：fib 离子束 121 0

EBSD样品制备技术的对比分析

电子背散射衍射（EBSD）技术因其能够揭示材料的微观结构特征而变得不可或缺。这项技术依赖于对样品表面的精确分析，因此，制备符合要求的EBSD样品是实现有...

2024-12-05 标签：显微镜离子束 EBSD 133 0

离子束技术在多领域的应用探索

聚焦离子束技术（FIB）聚焦离子束技术（FocusedIonBeam，FIB）是一种高精度的微纳加工手段，它通过加速并聚焦液态金属离子源产生的离子束，照...

2024-12-04 标签：芯片 fib 离子束 135 0

FIB测试技术

聚焦离子束（FocusedIonBeam，简称FIB）技术是一种精密的微纳加工手段，它通过将离子束聚焦到极高的精度，实现对材料的精确蚀刻和加工。FIB技...

2024-12-02 标签：测试 fib 离子束 123 0

聚焦离子束(FIB)技术的特点、优势以及应用

本文介绍了聚焦离子束（FIB）技术的特点、优势以及应用。一、FIB 在芯片失效分析中的重要地位芯片作为现代科技的核心组成部分，其可靠性至关重要。而在...

2024-11-21 标签：芯片 fib 离子束 249 0

深入解析离子束（FIB）技术在微纳米加工领域的应用

集成电路制造中的先进束流技术在集成电路的制造过程中，三种先进的束流技术——电子束、光子束和离子束技术，扮演着至关重要的角色。这些技术不仅推动了微电子器件...

2024-11-12 标签：集成电路 fib 离子束 313 0

制备透射电镜及扫描透射电镜样品的详细步骤

聚焦FIB技术：微纳尺度加工的利器聚焦离子束（FIB）技术以其卓越的精确度在微观加工领域占据重要地位，能够实现从微米级到纳米级的精细加工。金鉴实验室在这...

2024-11-11 标签：fib 离子束电镜 237 0

氩离子束抛光：EBSD样品制备的高效策略

EBSD技术的重要性电子背散射衍射（EBSD）技术是材料科学中用于揭示材料微观结构的关键工具。它详细描述了材料在凝固、塑性变形、相变以及断裂等物理过程中...

2024-11-08 标签：fib 测试设备离子束 285 0

FIB技术在各领域的应用及其运作机制解析

双束聚焦离子束(FIB)系统概述双束聚焦离子束(FIB)系统是一种集成了单束聚焦离子束和扫描电子显微镜(SEM)功能的高精度微纳加工技术。这种系统通过精...

2024-10-29 标签：显微镜 fib 离子束 317 0

铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀

随着基于铌酸锂 LN 的光源, 光调制, 光探测等重要器件的实现, 铌酸锂 LN 光子集成芯片有望像硅基集成电路一样, 成为高速率, 高容量, 低能耗光...

2024-09-13 标签：离子束刻蚀机 341 0

美国进口 KRi 考夫曼离子源 KDC 160 硅片刻蚀清洁案例

上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离...

2024-09-13 标签：电流硅片离子束 289 0

一文解析离子注入的沟道效应

什么是沟道效应？沟道效应是指在晶体材料中，注入的离子沿着晶体原子排列较为稀疏的方向穿透得比预期更深的现象。

2024-02-21 标签：晶体离子束 3508 0

半导体制造中FIB、SEM关键技术原理

聚焦离子束（Focused Ion beam，FIB）是一种利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器。聚焦后作用于样品表面。

2024-01-02 标签：原理图半导体 SEM 3275 0

一文详解离子束工艺技术

　二次离子质谱（SIMS）是一种分析方法。具有高空间分辨率和高灵敏度的工具。它使用高度聚焦的离子束（通常是氧气或（无机样品用铯离子）“溅射”样品表面上选...

2022-11-22 标签：离子束 1140 0

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　Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数
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