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第三代半导体

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第三代半导体主要是材料的变化。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料，发展经历了三个阶段。

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第三代半导体简介

　　半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料，发展经历了三个阶段：

　　第一代材料是硅，以硅（Si）和锗（Ge ）为代表，就是第一代半导体的产业园。

　　第二代材料是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（ GaP ）为代表，目前的大部分通信设备的材料。

　　第三点材料以氮化镓（ GaN）、碳化硅（ SiC）、金刚石为代表，未来5G时代的标配。

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