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第三代半导体

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第三代半导体主要是材料的变化。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料，发展经历了三个阶段。

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第三代半导体技术

第一、二、三代半导体什么区别？

第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

2023-04-04 标签：新能源汽车 MOSFET 摩尔定律 1.5万 0

第三半导体是什么？第三代半导体和半导体的区别

　第三代半导体是一种新型的半导体材料，它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它们可以用于制造更小、更轻、更高效的电子元件，从而提高电子设备的性能。

2023-02-16 标签：集成电路电子元件晶体管 1.1万 0

浅析氮化镓技术原理及技术突破路线

　通过种种信息，我们应该都能发现，氮化镓充电器目前已经快要与普通充电器市场持平，而且，氮化镓充电器是近几年新开发出来的，从刚开始出现的30W到现在的14...

2023-02-03 标签：充电器氮化镓 GaN 8791 0

碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么碳化硅技术壁垒有哪些

碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么碳化硅技术壁垒有哪些碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术...

2023-02-03 标签：SiC 衬底碳化硅 4299 0

第三代半导体之碳化硅行业分析报告

半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半...

2023-12-21 标签：晶体管功率器件氮化镓 3047 0

ST 基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案

STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图...

2023-05-25 标签：ST 数字电源全桥LLC谐振 2551 0

国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备

SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割...

2023-04-25 标签：ASIC芯片碳化硅第三代半导体 1946 0

什么是氮化镓技术指标体系分解

小编在这里给大家分享一下什么是氮化镓技术指标？什么是氮化镓技术指标体系？以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、...

2023-02-16 标签：SiC 氮化镓 GaN 1933 0

碳化硅衬底市场群雄逐鹿碳化硅衬底制备环节流程

全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。

2023-03-23 标签：晶体碳化硅第三代半导体 1716 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更...

2024-02-29 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1529 0

基于ST VIPERGAN65 的65W PD 快充方案

ST推出内置氮化镓MOS的紧凑型控制芯片VIPERGAN65，尺寸为5*6mm，支持PD快充和紧凑型电源，提供OVP、OTP、OLP、Brown-in、...

2023-03-22 标签：ST 氮化镓快充 1400 0

什么是第三代半导体技术碳化硅的产业结构分析

第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在...

2023-08-11 标签：氮化镓砷化镓碳化硅 1142 0

基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效标准的参考电源设计

专门设计来控制ZVS非互补有源的钳式反激(ACF)转换器，以创建高功率密度充电器和适配器带USB-PD EPR接口。

2023-04-04 标签：意法半导体 GaN 快充 825 0

新能源电驱系统关键技术及发展趋势

第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，且体积小、污染少、运行损耗，正逐步成为发展的重心。

2023-05-04 标签：IGBT 电机控制器第三代半导体 664 0

浅谈第三代半导体的氮化镓性能优势

新型电子器件 GaN 材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE 技术在 GaN 材料...

2023-11-17 标签：MOSFET IGBT 氮化镓 570 0

第三代半导体和半导体区别

半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质，是电子工业中不可或缺的基础材料。随着科技的进步和产业的发展，半导体材料经历了从第一代到...

2024-10-17 标签：半导体电子元件绝缘体 564 0

英诺赛科 2KW 48V 双向ACDC储能电源方案

2KW 48V双向ACDC储能模块采用All GaN解决方案，包括前端AC-DC无桥图腾柱PFC和后端DC-DC隔离全桥LLC转换器，可实现单双向工作。...

2024-10-12 标签：氮化镓英诺赛科第三代半导体 370 0

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