等离子体

什么是等离子体

等离子体，英文名称plasma，是物质的第四态，其他三态有固态，液态，气态。在半导体领域一般是气体被电离后的状态，又被称为‘电浆’，具有带电性和流动性的特点。

2024-11-05 标签：芯片等离子体工艺 136 0

半导体光刻工艺流程分析

等离子体蚀刻机需要与湿法蚀刻相同的元素：化学蚀刻剂和能量源。从物理上讲，等离子体蚀刻机由室、真空系统、气体供应、终点检测器和电源组成（如下图所示）。晶圆...

2024-11-05 标签：半导体等离子体蚀刻机 166 0

激光诱导击穿光谱技术介绍

激光诱导击穿光谱(英语:Laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS) 技术，通过超短脉冲激光聚焦样品表面形成等离...

2024-10-18 标签：激光探测器等离子体 164 0

射频功率放大器在等离子体压力传感器中的应用

实验名称：等离子体压力传感器及其在动态压力测量中的应用研究方向：压力传感器测试目的：如何准确测量高超冲压发动机隔离段和航空发动机压气机部件的内部流场是提...

2024-07-31 标签：传感器功率放大器等离子体 746 0

ICP-RIE机台的原理是什么样的？

ICP-RIE全称是电感耦合等离子体刻蚀机，是半导体芯片微纳加工过程中必不可少的设备，可加工微米级纳米级的微型图案。

2024-04-30 标签：射频等离子体刻蚀机 1069 0

浅谈刻蚀的终点控制

当等离子体转变到这种状态时，电子密度处于最低水平。一般来说，等离子体密度下降的水平取决于占空比和脉冲频率。通过调整脉冲的占空比，可以将时间平均离子能量分...

2024-04-09 标签：集成电路等离子体芯片制造 824 0

利用氨等离子体预处理进行无缝间隙fll工艺的生长抑制

引言 半导体器件的设计规则收缩是集成过程中每一步的一个挑战。在隔离的间隙-fll过程中，使用沉积工艺不能抑制接缝和空隙的形成，甚至具有良好的台阶覆盖。为...

2024-03-29 标签：半导体等离子体 372 0

干法刻蚀常用设备的原理及结构

干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向...

2024-01-20 标签：等离子体晶圆刻蚀机 6630 0

硅双通道光纤低温等离子体蚀刻控制与SiGe表面成分调制

在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于...

2024-01-15 标签：等离子体光纤SiGe 337 0

如何在刻蚀铝之后保护铝不被腐蚀？

需要铝金属的地方太多了，在DRAM和flash等存储器产品中，铝连线由于成本低廉和加工简便仍被广泛使用。这些存储器设备通常不像高性能逻辑芯片那样对电阻和...

2023-12-25 标签：存储器等离子体半导体封装 840 0

半导体材料特性分析

书接上节，常见的物质的第四种自然状态是等离子体状态。我们比较熟知的恒星天体就是等离子体态的一个例子。当然，它和我们最常见到的固体、液体或气体的定义的定义...

2023-12-08 标签：半导体等离子体工艺流程 623 0

太阳能电池中表面等离子体增强光捕获技术

光捕获技术是提高太阳能电池光吸收率的有效方法之一，它可以减少材料厚度，从而降低成本。近年来，表面等离子体（SP）在这一领域取得了长足的进步。利用表面等离...

2023-12-05 标签：太阳能电池太阳能等离子体 1262 0

动态反向脉冲(DRP)实验

在之前的《实践出真知，实验领创新》推文中，我们探讨了与传统的双极脉冲(BP)双磁控溅射相比，动态反向脉冲(DRP)模式可将基底热负荷降低约12%，从而为...

2023-11-21 标签：等离子体脉冲电荷 1294 0

等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性

近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 标签：等离子体等离子蚀刻工艺 494 0

等离子体清洗工艺的关键技术 等离子体清洗在封装生产中的应用

等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化...

2023-10-18 标签：芯片半导体等离子体 1856 0