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罗姆株式会社开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”,最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFE...
罗姆宣布开发出了具备绝缘功能的车载设备用栅极驱动IC“BM6103FV-C”,将从2012年6月开始样品供货。该产品是通过在芯片上嵌入变压器实现的,...
罗姆从2012年4月开始样品供货快恢复二极管(Fast Recovery Diode)的新产品“RFU01AS4S”,该产品封装在1006尺寸(1....
日本的SiC相关业务目前正在迅速增长。SiC与现有的硅(Si)相比可大幅削减电力损耗,因此作为新一代功率半导体材料备受关注。但此前,SiC功率元件在...
罗姆宣布已开始销售配备反射镜的三色发光型贴片LED的新产品MSL0301RGBW和MSL0401RGBW。新产品的尺寸为1.8mm1.6mm,据该公司介...
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采...
2011年虽然过去了,但是我们有必要回首盘点全球半导体代表企业中的佼佼者,如罗姆、村田制作所、TDK、太阳诱电、松下电工、基美、欧姆龙、东光、宇阳、顺络...
罗姆集团旗下的LAPIS通过与中国清华大学技术合作,现已成功开发出最适宜对按照中国地面数字电视传输标准信号进行高性能解调、纠错的IC “ML7109S”。
罗姆开发了采用SiC功率元件的功率模块,额定电压和电流分别为600V和1000A。该产品是与美国Arkansas Power Electronics I...
罗姆开发出数据传输速度最高达到4Gbit/秒的光无线接口技术,并在于千叶县幕张Messe会展中心举行的CEATEC JAPAN 2011上进行了展示。原...
罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于,与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压...
罗姆株式会社开发出了新一代高速、低压的电阻膜触摸屏用控制器IC“BU21023MUV”、“BU21023GUL”、“BU21024FV” 3种机型。
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