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标签 > 肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
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肖特基二管MBR系列快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用,并能大程度降低开关损耗。肖特基二管与普通的PN结二管不同。是使用N型半导...
2022-03-23 标签:肖特基二极管 488 0
sd103aws长电、银河SD103AWS肖特基二极管参数图解
随着消费电子5G手机市场对肖特基电子管的需求逐渐上升,SD103AWS长电、银河微电子小信号肖特基二极管型号品牌,原厂封装SOD-323 丝印S4 贴片...
东芝研讨会解读肖特基势垒二极管的特性、选型、使用要点和电路设计的技巧
在开关电源特别是高频开关电源中,肖特基势垒二极管可谓是不可缺少的整流高手。肖特基势垒二极管由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成,作为一种低功耗、超高...
二极管的类型很多,给电路以及整个电器的作用都是不同的,那么快恢复二极管和肖特基二极管又有什么区别呢?今天弗瑞鑫分享整理出如下快恢复二极管和肖特基二极管的区别。
开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管
Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vish...
Nexperia(安世半导体)针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和...
国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证,仍能保持正常稳定的工作状态,可更好地适应复杂多...
近日,国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证,并获得AEC-Q101车规级认证...
如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决,PN结相关的边缘终端结构一直是难点。
SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,散热要求低,是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用WOLFSPEED公司的碳化硅为主,但由...
基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1应用于1.3kW服务器电源
如图为1.3kW服务器电源电路框图,主功率框架包括EMI滤波、单相整流、PFC、半桥LLC以及同步整流等组成,输出12V电压;在PFC功率因数校正部分,...
11月16-19日,由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的 第二十届中国国际半导体博览会(IC China 2022) 在合肥盛大举行,...
图1中,如果放大器趋向+15 V电轨,则连接至REF的保护二极管将开启,放大器将尝试上拉REF节点。如果REF节点未通过强驱动器电路驱动,则REF节点(...
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