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标签 > 肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
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主动PFC是服务器系统架构(SSI)一致性的要求:供电模块应该采用带主动功率因数校正的通用电源输入,从而可以减少谐波,符合EN61000-3-2和JEI...
肖特基二极管和耗尽型 HEMT 与200-V GaN IC的单片集成
Imec 展示了高性能肖特基势垒二极管和耗尽型 (d-mode) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 在基于 p 型氮化镓 (GaN) HEMT 的 20...
随着大规模集成电路的发展,电子设备的体积和重量越来越小,而传统的连续式申联稳压电源由于体积大、效率低则不能满足整机的优化设计。开关电源是体积小、重量轻、...
如下是最传统的采用 PMOS 做防反功能的电路单元,PMOS 的门级接电阻到地。当输入端接正向电压时,电流流过 PMOS 的体二极管到负载端,当正向电压...
具有1级防护设计的电路板在断电时能限制带电总线和插入电路板接口之间的电流,从而防止插入电路板受到损坏。这种瞬态电流限制就能保证在不打断主电源情况下带电插...
Nexperia推出肖特基二极管 泰国扩展罗德与施瓦茨移动频谱监测系统
关键半导体领域的专家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二极管,进军大功率碳化硅 (SiC) 二极管市场。这是 Nexpe...
英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率
新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和...
公司针对不同需求有高性价比、高可靠性、高速三大系列高压MOSFET产品,反压覆盖200-900V,电流覆盖0.5-24A。
韦尔半导体将为数字世界提供开关器件、信号放大器件、系统电源及控制方案、系统保护方案、电磁干扰滤波方案、分立器件 。我们目前有8条产品线:模拟开关,音频功...
Vishay推出新型650V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效
器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。
在负载点(POL)降压转换器领域,同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低...
用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其...
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