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英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。

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　　英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司的主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

　　英诺赛科已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。英诺赛科作为技术全球领先的第三代半导体公司，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化镓量产平台，实现了中国第三代半导体零的突破。

　　我们的核心技术团队

　　英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成。他们均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。

　　此外，为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。

　　英诺赛科（Innoscience）创立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体氮化镓（GaN ）的生产基地。

　　公司成立之初，英诺赛科的创始人就深知，如果想实现氮化镓技术在市场上的广泛应用，产品的性能和可靠性只是根本。氮化镓功率电子器件在市场上要进行大规模推广，还需要解决另外三个痛点：首先是成本，具备合理的价格才能被广泛采用。其次是具备大规模量产能力，以应对市场的爆发。第三，要确保器件供应链稳定，有了稳定的货源供应，客户可以全心全意投入产品和系统的开发，无需担心因氮化镓器件供应战略的变化而导致停产。因此，Innoscience 明白，只有扩大 GaN 器件的产能并拥有自主可控的生产线，才有可能解决氮化镓功率电子器件在市场上进行大规模推广的三个痛点（价格、数量和供应安全）。

　　从一开始，英诺赛科就战略性地将采用8英寸晶圆，与6英寸相比，8英寸晶圆的器件数量比6英寸晶圆多80%。同时，英诺赛科采用C-MOS工艺，以便将多年来在三极管生产领域积累的经验和优化措施应用在氮化镓晶圆的生产工艺中。

　　今天，英诺赛科已实现了最初的规划。目前，公司拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。

　　目前，英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能达到每月10000片，并将逐渐扩大至每月70000片以上。

　　我们能取得这些成就，离不开招银国际、ARM、SK和CATL等世界级投资方的支持。

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