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英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。
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英诺赛科(苏州)科技股份有限公司近日正式向香港证券交易所递交了首次公开募股(IPO)的上市申请,标志着这家全球氮化镓功率半导体领域的领军企业正式迈出了登...
11月20日,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用 将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产化工程问题研究提升氮化镓材料与器...
近日,备受瞩目的国际电力电子应用展览会APEC在美国洛杉矶盛大举行。作为电力电子领域的年度盛事,APEC吸引了全球众多知名企业的参与,他们纷纷带来了最新...
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英诺赛科近日宣布,其VGaN系列再添新成员——30V新品INV030FQ012A。这款产品的推出,标志着VGaN产品的电压范围得到了进一步拓宽。
在半导体行业的快速变革中,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司以卓越的氮化镓产品,已发展成为全球领先的第三代半导体高新技术企业。近期发布的招股书数据显示,英...
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