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佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业，国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂，创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司，2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。
半导体封装及测试厂商蓝箭电子正式登陆创业板 日前，蓝箭电子正式登陆创业板。此次蓝箭电子IPO预计蓝箭电子募集资金总额为9
7月28日，封装测试领先企业蓝箭电子开启申购!蓝箭电子本次募集资金拟投资6.01亿元，其中5.43亿元将用于半导体封装测
此次蓝箭电子冲刺创业板上市，保荐机构为金元证券，拟公开发行不超过5000万股，募集6.02亿元，用于扩充AC-DC、DC
电子发烧友网报道（文/刘静）近日，蓝箭电子更新IPO上市最新进展，进入第三轮问询阶段。蓝箭科技此前申请的是科创板上市，但
随着5G通信、汽车电子等领域的发展，对集成电路的先进封装要求也更高，先进封装技术有望逐渐成为市场主流。根据中国半导体行业
年新增封装测试产品50.28亿只的生产能力,蓝箭电子市场消化能力待考验
正冲击科创板的佛山市蓝箭电子股份有限公司（下称“蓝箭电子”）披露了科创板首轮问询回复。
佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业，国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂，创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司，2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。目前已形成年产150亿只的生产规模，是华南地区主要的半导体器件生产基地之一。
公司厂区位于佛山市禅城区，厂房面积8万平方米。公司拥有大量先进的生产线，产品系列有各种封装的双极型晶体管、场效应晶体管（MOSFET）、各种开关、稳压、肖特基（SBD）、快恢复（FRD）等二极管、晶闸管（可控硅）、集成电路（IC）等，产品广泛应用于家用电器、电源、IT数码、通信、新能源、汽车电子、仪器仪表、显示屏、灯饰照明、背光源等领域。
公司从1997年开始通过ISO9001质量管理体系认证，2005年通过ISO14001环境管理体系认证，2013年通过了ISO/TS16949（IATF16949）汽车行业质量管理体系标准认证，2015年通过OHSAS18001认证。目前公司建立了广东省半导体器件工程技术研究开发中心和广东省企业技术中心，2008年，“蓝箭”牌晶体管被认定为广东省名牌产品。
此次蓝箭电子冲刺创业板上市，保荐机构为金元证券，拟公开发行不超过5000万股，募集6.02亿元，用于扩充AC-DC、DC-DC、锂电保护IC等封测产能，...
随着5G通信、汽车电子等领域的发展，对集成电路的先进封装要求也更高，先进封装技术有望逐渐成为市场主流。根据中国半导体行业协会封装分会统计，当前以TVS、...
电子发烧友网报道（文/刘静）近日，蓝箭电子更新IPO上市最新进展，进入第三轮问询阶段。蓝箭科技此前申请的是科创板上市，但2020年撤回了在科创板的注册申...
年新增封装测试产品50.28亿只的生产能力,蓝箭电子市场消化能力待考验
正冲击科创板的佛山市蓝箭电子股份有限公司（下称“蓝箭电子”）披露了科创板首轮问询回复。
7月28日，封装测试领先企业蓝箭电子开启申购!蓝箭电子本次募集资金拟投资6.01亿元，其中5.43亿元将用于半导体封装测试扩建项目，5765.62万元将...
半导体封装及测试厂商蓝箭电子正式登陆创业板 日前，蓝箭电子正式登陆创业板。此次蓝箭电子IPO预计蓝箭电子募集资金总额为90，400.00万元，扣除预计发...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| DTA144EKA | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,300mV;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):100mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;输入电阻:47 |
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|
|
| DTA143ZKA | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; |
获取价格
|
|
| 2SD965T | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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|
|
| 8550-C | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
获取价格
|
|
| 2SC945-P | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
获取价格
|
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