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标签 > 蓝箭电子
佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业,国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂,创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司,2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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DTA144EKA | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,300mV;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):100mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;输入电阻:47 |
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DTA143ZKA | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; |
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2SD965T | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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8550-C | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SC945-P | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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TL431-A | 电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:37V;输出电压:36V;输出电流:-;精度:-;温度系数:-;静态电流:-;最小阴极电流调节:80uA;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;动态阻抗:150mΩ;工作温度:-40℃~+125℃@(Ta); |
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2SC380TM-Y | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@10mA,1mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,12V;特征频率(fT):400MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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BRCD3408 |
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BRCL3130BME |
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BR50N06 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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BR13N50 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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BR40P03 | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):80W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
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BRCS3205RA | 漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ 10V,90A;功率(Pd):200W;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 250μA;类型:N沟道; |
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2SB649A-C | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SB1261-M | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@600mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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BRD50N06 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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LV10T100D | 直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):650mV@10A; |
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MBRD10100CT | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):850mV@5A;反向电流(Ir):10uA@100V; |
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MBRD1040 | 直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):510mV@10A; |
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BZT52C15 |
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BZT52C22 |
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BZT52C18 |
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DW01B |
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KTA1666-Y | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SB1132-Q | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,3V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SC4672-Q | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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MMBTA94T | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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BR4953D-E | MOSFETs SOP-8 P-通道 20V 3A |
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2SD965 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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9015-C | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;特征频率(fT):190MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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