蚀刻工艺

不同氮化镓蚀刻技术的比较

GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法...

2023-12-01 标签：半导体晶圆氮化镓 756 0

将铜互连扩展到2nm的研究

晶体管尺寸在3nm时达到临界点，纳米片FET可能会取代finFET来满足性能、功耗、面积和成本目标。同样，正在评估2nm铜互连的重大架构变化，此举将重新...

2023-11-14 标签：半导体晶圆蚀刻工艺 395 0

等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性

近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 标签：等离子体等离子蚀刻工艺 489 0

降低半导体金属线电阻的沉积和蚀刻技术

铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配，这在较小的尺度上变得更加重要。传统上，铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化硅中...

2023-09-22 标签：半导体蚀刻蚀刻工艺 698 0

低能量电子束曝光技术

直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中，首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图，然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬...

2023-09-07 标签：半导体蚀刻工艺电子束 558 0

耐蚀点蚀镀铜工艺

随着5G技术的推出，导致电子电路和IC基板在设计中要求更高的密度。由于5G应用的性质，这些设计中的高可靠性和出色的电气性能也越来越重要。

2023-09-01 标签：半导体镀铜工艺蚀刻工艺 3164 0

酸蚀刻对钛医药材料纳米形态表面特性及活化能的影响

钛金属具有较高的比强度和生物相容性，并且由于在金属表面自发形成的钝化膜而具有优异的抗蚀刻性。这种薄氧化膜在空气中容易形成，保护内部活性钛金属免受侵蚀性介...

2023-09-01 标签：传感器半导体蚀刻工艺 427 0

六氟化硫等离子体的热反应离子蚀刻

众所周知，微机电系统(MEMS)严重依赖于集成电路制造中使用的材料，例如单晶硅。然而，由于金属、玻璃和压电陶瓷的特殊性质，这些材料在MEMS中的使用正在...

2023-09-01 标签：集成电路半导体晶圆 381 0

单片微波集成电路中砷化镓的干蚀刻

目前高功率砷化镓基单片微波集成电路(MMICs)已广泛应用于军事、无线和空间通信系统。使用连接晶片正面和背面的衬底通孔，这些MMICs的性能显著提高。

2023-07-13 标签：集成电路半导体蚀刻工艺 609 0

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使...

2023-05-30 标签：晶体管蚀刻工艺3d nand 1686 0

湿式化学蚀刻法制备硅片微孔

微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质，特别是，当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时，金属微孔结构表现出强烈的共振。然而，...

2023-05-25 标签：半导体晶圆蚀刻 1256 0

如何在蚀刻工艺中实施控制？

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来...

2023-05-19 标签：pcb控制系统设备 953 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的湿法化学腐蚀

用钪取代一些铝可以增加压电性能，但也使薄膜的沉积和图案形成更具挑战性。

2023-03-21 标签：蚀刻工艺压电材料刻蚀 1236 0

半导体蚀刻工艺课堂素材分享（4）（下）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4...

2022-08-02 标签：半导体蚀刻工艺 5059 0

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造（下）

接上回的实验演示   实验演示  非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移； 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑...

2022-05-11 标签：光学蚀刻蚀刻工艺 1008 0

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造（上）

​引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀，用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级...

2022-05-11 标签：光学蚀刻蚀刻工艺 1180 0

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层，通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层，发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构，用这种方法可...

2022-05-06 标签：超声波蚀刻蚀刻工艺 1256 0

关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更...

2022-01-25 标签：半导体晶体化学 2129 0

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中（100）砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影...

2022-01-25 标签：半导体化学蚀刻 2564 0