蚀刻

侧墙工艺是什么意思

与亚微米工艺类似，侧墙工艺是指形成环绕多晶硅的氧化介质层，从而保护LDD 结构，防止重掺杂的源漏离子注入到LDD结构的扩展区。侧墙是由两个主要工艺步骤形...

2024-11-09 标签：集成电路工艺蚀刻 428 0

半导体蚀刻工艺科普

过度蚀刻暴露硅晶圆表面可能会导致表面粗糙。当硅表面在HF过程中暴露于OH离子时，硅表面可能会变得粗糙。

2024-11-05 标签：硅晶圆蚀刻光刻胶 277 0

湿法蚀刻的发展

蚀刻的历史方法是使用湿法蚀刻剂的浸泡技术。该程序类似于前氧化清洁冲洗干燥过程和沉浸显影。晶圆被浸入蚀刻剂罐中一段时间，转移到冲洗站去除酸，然后转移到最终...

2024-10-24 标签：晶圆蚀刻 185 0

晶圆制造工艺流程及一些常用名词解释

共读好书 晶圆制造工艺流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 ...

2024-07-30 标签：光刻蚀刻晶圆制造 1573 0

基于光谱共焦技术的PCB蚀刻检测

传统的2D视觉技术已经无法满足高精度的印刷电路板(PCB)外观检测。3D成像技术则以其独特的优势，轻松地在视野范围内构建目标物的状态，无论是断差还是孔径...

2024-05-27 标签：pcb蚀刻光谱 413 0

通信——通过表面电荷操纵控制锗的蚀刻

引言 锗是下一代背面成像器的有希望的替代品，因为最近的同质外延生长已经产生了非常低的缺陷密度。锗的固有特性使其能够进行高速硬X射线检测，并在硅基本透明的...

2024-04-25 标签：蚀刻edl 446 0

关于两种蚀刻方式介绍

干式蚀刻是为对光阻上的图案忠实地进行高精密加工的过程，故选择材料层与光阻层的蚀刻速率差（选择比）较大、且能够确保蚀刻的非等向性（主要随材料层的厚度方向进...

2024-04-18 标签：蚀刻 689 0

半导体制造工艺 - 晶圆制造的过程

芯片制造是当今世界最为复杂的工艺过程。这是一个由众多顶尖企业共同完成的一个复杂过程。本文努力将这一工艺过程做一个汇总，对这个复杂的过程有一个全面而概括的描述。

2024-03-29 标签：芯片制造蚀刻单晶硅 3630 0

芯片制作流程分解说明

芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。

2024-03-25 标签：芯片NAND晶圆 1112 0

细述几种高效晶体硅太阳能电池技术

一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10％以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（RIE），该技术的优点是和晶硅的晶...

2024-03-19 标签：太阳能电池蚀刻晶体硅 1668 0

半导体硅材料的特性解析

硅元素在自然界中主要以氧化物形式为主的化合物状态存在。这些化合物在常温下的化学性质十分稳定。而在高温下，硅几乎可以所有物质发生化学反应。

2024-03-15 标签：晶圆半导体材料蚀刻 3107 0

PCB全制程流程介绍

通过光学反射原理将图像回馈至设备处理，与设定的逻辑判断原则或资料图形相比较，找出缺点位置

2024-03-15 标签：pcb蚀刻基板 517 0

混合键合工艺流程：详细解读D2W和W2W的流程

现在对 2 个晶圆进行处理，为粘合做好准备。它们经过 N2 等离子体处理以激活表面。等离子处理改变了表面的特性，以增加表面能并使其更加亲水。

2024-03-06 标签：晶圆蚀刻芯片封装 4864 0

一文读懂芯片混合键合工艺流程

在封装史上，最后一次重大范式转变是从引线键合到倒装芯片。从那时起，更先进的封装形式（例如晶圆级扇出和 TCB）一直是相同核心原理的渐进式改进。

2024-02-27 标签：晶圆芯片设计蚀刻 3500 0

硅双通道光纤低温等离子体蚀刻控制与SiGe表面成分调制

在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于...

2024-01-15 标签：等离子体光纤SiGe 377 0

各种叠层结构的PCB图内部架构设计

今天画了几张多层PCB电路板内部结构图，用立体图形展示各种叠层结构的PCB图内部架构。

2024-01-02 标签：pcb蚀刻过孔 912 0

半导体的特征及工艺介绍

无可否认，不论是半导体技术还是其产业本身，都已经成为所有市场中最大的产业之一。全球媒体、企业和政府也纷纷把目光投向了半导体工厂的下一个建设地。而每一次的...

2023-12-25 标签：半导体计算机晶体管 6613 0