蚀刻

单晶硅片与蚀刻时间的关系研究

本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，...

2022-04-18 标签：蚀刻单晶硅片 572 0

臭氧辅助硅蚀刻技术的研究

本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后，重复测量，然后确定了成分和表面电位的深度分布，因...

2022-04-18 标签：半导体臭氧蚀刻 403 0

硅晶片的化学刻蚀和动力学效应

硅的三相、基于酸的湿法蚀刻中的传输和动力学效应的研究已经完成。由反应形成的气泡附着在表面上的随机位置，表面的一部分被反应物遮蔽。这种气泡掩蔽效应被模拟为...

2022-04-15 标签：蚀刻硅晶片 990 0

一种制备PS层的超声增强化学蚀刻方法

本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层，利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构，用该方法可以制备质量因...

2022-04-15 标签：工艺超声波蚀刻 463 0

半导体清洗液中溶解氢气对晶圆清洗的影响

在最近的半导体清洁方面，以生物碱为基础的RCA清洁法包括大量的超纯和化学液消耗量以及清洁时多余薄膜的损失； 由于环境问题，对新的新精液和清洁方法的研究正...

2022-04-14 标签：半导体蚀刻清洗 682 0

喷雾特性与蚀刻特性的相互关系

本研究根据蚀刻条件的变化，对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析，并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物...

2022-04-14 标签：特性蚀刻喷雾 608 0

一种强有力的各向异性湿法化学刻蚀技术

我们展示了在c平面蓝宝石上使用磷酸、熔融氢氧化钾、氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻，蚀刻速率高达3.2mm/min。晶体...

2022-04-14 标签：工艺氮化镓蚀刻 1476 0

第一原理化学反应流模型的开发和应用

本研究的目的是开发和应用一个数值模型来帮助设计和操作CDE工具，为此，我们编制了第一个已知的NF3/02气体的等离子体动力学模型，通过与实验蚀刻速率数据...

2022-04-13 标签：蚀刻模型 446 0

硅晶片的蚀刻预处理方法包括哪些

硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-...

2022-04-13 标签：蚀刻清洗硅晶片 1077 0

硅晶圆蚀刻过程中的化学反应研究

硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层...

2022-04-12 标签：硅晶圆蚀刻 1145 0

硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用

本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一...

2022-04-11 标签：晶硅蚀刻氧化物 1367 0

操作参数对蚀刻速率和均匀性的影响

本研究的目的是开发和应用一个数值模型来帮助设计和操作CDE工具，为此，我们编制了第一个已知的NF3/02气体的等离子体动力学模型，通过与实验蚀刻速率数据...

2022-04-08 标签：蚀刻晶片CDE 1247 0

不同蚀刻时间对多孔硅结构和光学性能的影响

硅在历史上一直是电子产品的主要材料，而光电子领域的工作几乎完全依赖于GaAs和磷化铟等ⅲ-ⅴ族化合物材料。这种材料系统二分法的主要原因是硅的间接带隙结构...

2022-04-08 标签：蚀刻多孔硅 576 0

一种新的半导体超卤素深度分析方法

本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后，重复测量，然后确定了成分和表面电位的深度分布，因...

2022-04-07 标签：半导体蚀刻 1090 0

湿法蚀刻的GaAs表面研究

为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器，它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方...

2022-03-31 标签：传感器蚀刻GaAs 993 0

利用FFM机制进行的极微细机械加工

随着超精密加工技术的发展，在机械加工中也需要纳米级的加工控制技术，从这个观点出发，近年来，利用扫描型探针显微镜(SPM)的极微细加工技术被广泛研究1）～...

2022-03-30 标签：机械蚀刻加工 648 0

MACE工艺制备黑硅的表面形态学和光学性能研究

本文研究了用两步金属辅助化学蚀刻(MACE)工艺制备的黑硅（b-Si）的表面形态学和光学性能，研究了银膜低温退火和碳硅片蚀刻时间短的两步MACE法制备硼...

2022-03-29 标签：工艺蚀刻晶片 908 0

关于晶片背面的薄膜蚀刻法说明

随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内形成很多器件，技术正在向多层结构发展，要想形成多层结构，将形成比现有的更多的薄膜层，这时晶片背面也会堆积膜。如果...

2022-03-28 标签：蚀刻晶片 1613 0

光刻技术发展现状及未来趋势分析

最近的电子器件大多是由微细的电路元件构成的，为了制造这些元件，微细加工已成为必须的技术。以前，为了这个目的使用了照相蚀刻技术（光刻法）。但是，半导体集成...

2022-03-28 标签：工艺光刻蚀刻 7262 0

多晶硅表面纹理化的典型方法

湿化学蚀刻是多晶硅表面纹理化的典型方法,湿化学蚀刻法也是多晶体硅表面锯切损伤的酸织构化或氢氧化钾锯切损伤去除后的两步化学蚀刻,这些表面纹理化方法是通过在...

2022-03-28 标签：工艺蚀刻晶片 1202 0