蚀刻

KOH硅湿法蚀刻工艺设计研究

在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300m...

2022-03-28 标签：工艺蚀刻硅片 2410 0

湿法蚀刻MEMS硅腔的工艺控制

硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻，通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾，TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依...

2022-03-08 标签：测试蚀刻晶片 2003 0

关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更...

2022-01-25 标签：半导体晶体化学 2168 0

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中（100）砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影...

2022-01-25 标签：半导体化学蚀刻 2615 0

半导体有机酸清洗液中的铜的蚀刻速率和氧化机理分析

引言 用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率...

2022-01-13 标签：半导体电化学蚀刻 2525 0

蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究

引言 本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分，并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项...

2022-01-12 标签：InP技术化学蚀刻 1993 0

O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为

引言 氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶，而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能，如宽直接带隙3.37 eV，大结合强度内聚能1.89...

2022-01-12 标签：晶圆单晶蚀刻 1158 0

混合铝蚀刻剂的化学特性分析

摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化...

2022-01-07 标签：半导体印刷电路蚀刻 1426 0

多磷酸蚀刻剂的化学特性

摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的...

2022-01-07 标签：化学蚀刻蚀刻工艺 1307 0

使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法

引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积...

2022-01-05 标签：pcb半导体晶圆 1233 0

化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析

引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的...

2021-12-29 标签：半导体蚀刻蚀刻工艺 2681 0

半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁

关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 ...

2021-12-29 标签：芯片半导体蚀刻 2702 0

半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理

摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁...

2021-12-27 标签：半导体等离子蚀刻 3251 0

RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响

摘要 在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 标签：半导体超声波蚀刻 1115 0

在HF水溶液中处理的GaP表面的特性

引言 椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表...

2021-12-22 标签：半导体蚀刻溶液 2114 0

采用可控湿法蚀刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 华林科纳

这本文中，我们提出了一种精确的，低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法，用于精确的势垒凹陷应用，使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化...

2021-12-13 标签：蚀刻GaN蚀刻工艺 2668 0

四甲基氢氧化铵水溶液湿蚀刻中AlGaN/AlN摩尔分数关系

在本文中，我们详细研究了AlGaN的湿法刻蚀特性。特别地，我们研究了m面刻面形成和AlN摩尔分数对蚀刻速率的依赖关系。我们还研究了氮化铝摩尔分数差异较大...

2021-12-13 标签：芯片摩尔定律电化学 1571 0

浅谈pcb蚀刻制程及蚀刻因子

1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净，...

2021-04-12 标签：pcb阻抗蚀刻 3.9万 0