蚀刻

基于 KOH 的 AIN 和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻

我们华林科纳开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术，AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底...

2022-01-05 标签：半导体蚀刻 873 0

控制碱性蚀刻液的表面张力

引言 氢氧化钾(KOH)和添加剂2-丙醇(异丙醇，IPA)通常用于单晶硅片的碱性织构化，以减少其反射。氢氧化钾和异丙醇在水中的蚀刻混合物需要明确定义氢氧...

2022-01-04 标签：蚀刻晶片表面张力 998 0

化学添加剂对KOH 溶液中Si表面反应性的影响

介绍 于大多数半导体而言，阳极氧化需要价带空穴。因此，人们期望该反应发生在黑暗中的p型半导体和仅在(超)带隙光照射下的n型半导体。 氢氧化钾溶液中硅的化...

2021-12-31 标签：蚀刻测量 594 0

Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响—苏州华林科纳半导体

引言 我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成，描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和（或）反应性。在我们的模型中，小丘...

2021-12-29 标签：半导体蚀刻 478 0

在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

引言 到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱...

2021-12-28 标签：蚀刻晶片光刻胶 934 0

低浓度KOH中的各向异性蚀刻

引言 在使用湿化学硅体微机械加工制造微机电系统时，使用碱性溶液，如氢氧化钾、氢氧化四甲铵和氢氧化铵。除了微机械加工之外，碱性溶液还用于单晶硅的表面纹理化...

2021-12-28 标签：蚀刻单晶硅 1479 0

用磷酸揭示氮化硅对二氧化硅的选择性蚀刻机理

关键词:氮化硅，二氧化硅，磷酸，选择性蚀刻，密度泛函理论，焦磷酸 介绍 信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度，我们华...

2021-12-28 标签：半导体蚀刻氮化硅 7035 0

KOH和HCl处理后氧化铟锡表面的表征

引言 通过使用透明导电材料，有机发光二极管产生的光的提取已经成为可能，该透明导电材料应该具有明确定义的电子和光学特性。铟锡氧化物满足了所有要求，它已迅速...

2021-12-24 标签：薄膜电子器件蚀刻 1267 0

晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻

引言 了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。...

2021-12-23 标签：晶圆蚀刻 726 0

喷淋蚀刻在精细印制电路制作过程中的蚀刻原理解析

在喷淋蚀刻过程中，蚀刻液是通过蚀刻机上的喷头，在一定压力下均匀地喷淋到印制电路板上的。蚀刻液到达印制板之后进入干镆之间的凹槽内并与凹槽内露出的铜发生化学反应。

2020-04-08 标签：印制电路板PCB设计蚀刻 4075 0

如何进行电解液制备，它的步骤是怎样的

1、快速有效的方法 电解液制备方法是一种快速高效的金相制备方法，可提供无变形的表面，而机械研磨和抛光则易于在表面留下薄的变形层。 在使用电解液抛光设备时...

2020-06-29 标签：蚀刻电解液抛光 1.1万 0