蚀刻

印制电路板蚀刻过程中的问题

蚀刻是印制电路板制作工业中重要的一步。它看上去简单，但实际上，如果在蚀刻阶段出现问题将会影响板子的最终质量，特别是在生产细纹或高精度印制电路板时，尤为重...

2011-08-30 标签：印制电路板PCB设计蚀刻 3726 0

详解单晶硅的各向异性蚀刻特性

为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片...

2022-03-25 标签：装置蚀刻硅片 3523 0

HF/HNO3和氢氧化钾溶液中深湿蚀刻对硅表面质量的影响

引言 抛光液中的污染物和表面划痕、挖掘和亚表面损伤(固态硬盘)等缺陷是激光损伤的主要前兆。我们提出了在抛光后使用HF/HNO3或KOH溶液进行深度湿法蚀...

2022-02-24 标签：蚀刻硅材料 3334 0

HF、HNO3和H2O体系中硅的化学刻蚀实验

本文研究了HF、HNO3和H2O体系中硅的蚀刻动力学作为蚀刻剂组成的函数。蚀刻速率与蚀刻剂组成的三轴图显示了两种极端的行为模式。在高硝酸组成的区域，蚀刻...

2022-03-07 标签：蚀刻测量函数 3297 0

使用清洗溶液实现蚀刻后残留物的完全去除

我们华林科纳半导体开发了一种新的湿法清洗配方方法，其锡蚀刻速率在室温下超过30/min，在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容，适用...

2022-06-14 标签：蚀刻清洗单晶片 3189 0

各向同性和各向异性工艺如何用于改善硅湿蚀刻

通过使用各向同性和各向异性工艺，可以高精度地创建由硅湿法蚀刻产生的微观结构。各向同性蚀刻速度更快，但可能会在掩模下蚀刻以形成圆形。可以更精确地控制各向异...

2022-03-09 标签：半导体蚀刻 2832 0

光刻胶剥离工艺的基本原理

虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本文章描述了...

2022-05-12 标签：工艺光刻蚀刻 2677 0

III族氮化物的干法和湿法蚀刻

第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这...

2022-02-23 标签：发射器氮化镓蚀刻 2675 0

半导体晶圆清洗设备市场：行业分析

半导体晶圆清洗设备市场预计将达到129\.1亿美元。到 2029 年。晶圆清洗是在不影响半导体表面质量的情况下去除颗粒或污染物的过程。器件表面晶圆上的污...

2023-04-03 标签：半导体晶圆蚀刻 2632 0

关于湿法蚀刻工艺对铜及其合金蚀刻剂的评述

湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度...

2022-01-20 标签：半导体蚀刻 2611 0

铜在去离子水中的蚀刻研究

引言 我们华林科纳描述了一种与去离子水中铜的蚀刻相关的新的成品率损失机制。在预金属化湿法清洗过程中，含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜。蚀刻在金属化...

2022-06-16 标签：半导体蚀刻 2494 0

HF蚀刻碱性化学清洗工艺对硅表面的影响

引言 为了在半导体工艺中获得均匀的电气特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清洁度的技术随着半导体器件的高密度化，其重要性日益增加。一般来说，半导体工艺中...

2022-06-21 标签：半导体蚀刻 2491 0

氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

氮化镓因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而，GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的寿命。...

2022-02-21 标签：蚀刻GaN电阻率 2474 0

硅和二氧化硅的湿化学蚀刻工艺

硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底，也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述，所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。

2022-03-23 标签：元件材料蚀刻 2384 0