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蚀刻

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最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量（Weight Reduction）仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

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蚀刻资讯

半导体晶圆清洗设备市场 2023-2030分析

半导体晶圆清洗设备市场-概况半导体晶圆清洗设备用于去除晶圆表面的颗粒、污染物和其他杂质。清洁后的表面有助于提高半导体器件的产量和性能。市场上有各种类型...

2023-08-22 标签：半导体晶圆蚀刻 1881 0

2022年半导体硅片行业研究报告

半导体硅片是制造芯片的载体，因原材料为硅，又称为硅晶片。规划和无经理硅提炼、提纯、单晶硅生产、晶圆成型等工艺后，才能进入芯片单路蚀刻等后续环节，是制造芯...

2022-12-12 标签：半导体晶圆分立器件 8380 0

摇摆蚀刻机

PTFE管用途：可用于蚀刻摇摆机的摇摆架，PTFE也称：可溶性聚四氟乙烯、特氟龙、Teflon 蚀刻机的简单介绍： 1、采用传动装置，雾化喷淋，结构合理...

2022-12-19 标签：蚀刻刻蚀机 634 0

剥离成形电子束蒸镀设备Lift-Off E-beam

上海伯东代理剥离成形电子束蒸镀设备 Lift-Off E-beam 精确控制真空压力, 电子束源与基板的抛射距离, 基板温度, 电子束源温度, 并控制涂...

2022-11-17 标签：电路蚀刻电子束 2651 0

电镀夹膜成因及改善方法

电镀的原理是将生产大板并排夹在一条铜条飞靶上，再把板子放到含有铜离子的电镀槽液中，电流通过铜条飞靶传递到板子上，板子上露出铜面的地方在电流的作用下，会吸...

2022-11-07 标签：pcb 电镀蚀刻 3517 0

硅中的各向异性湿法蚀刻工艺课堂4（下）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4...

2022-08-09 标签：蚀刻 628 0

深硅蚀刻技术使下一代功率器件成为可能

包括汽车、工业、数据中心和能源行业在内的多种电子应用对大功率设备的需求正在增加。如今，功率器件必须满足高效率、高功率密度、低功耗和出色的热管理等严格要求...

2022-07-29 标签：半导体功率器件蚀刻 1451 0

晶圆的湿法蚀刻法和清洁度

本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液，在晶圆表面，为了形成LSI布线，现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式，这是因...

2022-07-06 标签：半导体晶圆蚀刻 2192 0

溶剂对ITO电极蚀刻的影响

本文研究了室温下盐酸和王水溶剂对ITO膜腐蚀行为的影响，在王水中比在盐酸中获得更高的蚀刻速率，然而，通过XPS分析，发现在王水蚀刻剂中比在HCl中有更多...

2022-07-01 标签：半导体电极蚀刻 1751 0

华林科纳通过HF蚀刻法表征键合界面

在许多电气和传感器应用中，SOI(绝缘体上硅)晶片已经取代了传统的硅晶片，SOI晶片具有不同的掩埋氧化物(BOX)和SOI层厚度，粘合界面的强度通常用裂...

2022-06-28 标签：半导体蚀刻 1375 0

适用于清洁蚀刻后残留物的定制化学成分（2）

通过小心增加[H2O]来提高蚀刻速率和清洗性能。IK 73中基础配方技术的有效性可以通过小心处理三种主要成分的比例来突出。在本例中，配方调整产生了一...

2022-06-23 标签：半导体蚀刻 980 0

适用于清洁蚀刻后残留物的定制化学成分（1）

引言介绍了一种蚀刻后残留物清洗配方，该配方基于平衡氢氟酸的腐蚀性及其众所周知的残留物去除特性。在最初由基于高k电介质的残留物提供的清洁挑战所激发的一系...

2022-06-23 标签：半导体蚀刻 1323 0

一种穿过衬底的通孔蚀刻工艺

通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaA...

2022-06-23 标签：工艺蚀刻衬底 699 0

通过光刻和蚀刻工艺顺序提高整个晶圆的关键尺寸均匀性（1）

摘要跨晶圆栅极临界尺寸(CD)的一致性会影响芯片与芯片之间在速度和功耗方面的性能差异。随着线宽减小到90 nm及以下，跨晶片CD均匀性的性能规格变得越...

2022-06-22 标签：半导体蚀刻 2028 0

HF蚀刻碱性化学清洗工艺对硅表面的影响

引言为了在半导体工艺中获得均匀的电气特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清洁度的技术随着半导体器件的高密度化，其重要性日益增加。一般来说，半导体工艺中...

2022-06-21 标签：半导体蚀刻 2452 0

湿法蚀刻与干法蚀刻有什么不同

在半导体芯片的物理和故障分析过程中(即验证实际沉积的层，与导致电路故障的原因)，为了评估复杂的半导体结构，拥有适当的处理工具至关重要。为制造的每件产品开...

2022-06-20 标签：半导体 MOS 蚀刻 6381 0

铜在去离子水中的蚀刻研究

引言我们华林科纳描述了一种与去离子水中铜的蚀刻相关的新的成品率损失机制。在预金属化湿法清洗过程中，含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜。蚀刻在金属化...

2022-06-16 标签：半导体蚀刻 2461 0

使用清洗溶液实现蚀刻后残留物的完全去除

我们华林科纳半导体开发了一种新的湿法清洗配方方法，其锡蚀刻速率在室温下超过30/min，在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容，适用...

2022-06-14 标签：蚀刻清洗单晶片 3138 0

金属蚀刻残留物对蚀刻均匀性的影响

引言我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺，适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明，蚀刻速率主要取决于Cl浓度，而与用于驱动放电的rf功率无关...

2022-06-13 标签：蚀刻材料科学 1240 0

选择性高通量TiN蚀刻方法的研究

本研究的目的是我们华林科纳开发足够快的氮化钛蚀刻配方，可用于单晶片工具(SWT)，但对电介质和金属具有高选择性。大多数蚀刻实验是在分子间Tempus F...

2022-05-30 标签：蚀刻生物技术 1251 0

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