蚀刻

混合酸溶液和熔融KOH中蚀刻的GaN薄膜

本文介绍了我们华林科纳采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质，盐酸作为阳极腐蚀介质，用扫描电镜和透射电...

2022-05-27 标签：薄膜蚀刻GaN 769 0

晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米的技术挑战

随着技术复杂性在亚20nm节点上的加速，半导体制造成本已经快速增加，晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米将是解决这一问题的方法之一，平均而言，采用300...

2022-05-26 标签：半导体晶圆蚀刻 1283 0

锗基衬底抗蚀剂剥离工艺研究

具有高k栅极电介质的锗和绝缘体上锗(GeOI)MOSFET由于锗比硅具有更好的载流子传输特性，最近受到了先进技术节点的关注。对于Ge或GeOI CMOS...

2022-05-25 标签：工艺蚀刻衬底 528 0

电化学阳极氧化纳米晶多孔硅层的合成和表征研究

多孔硅由于其在可见光范围内的室温光致发光而引起了极大的关注。然而，关于多孔硅表面的光致发光有两种不同的假说。第一个包括量子限制效应，这是由于分隔孔壁的窄...

2022-05-25 标签：电化学蚀刻多孔硅 717 0

精确确定晶片结晶方向的不同技术方法

在湿法体微机械加工中，蚀刻特性取决于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何几何形状的掩模开口的延长蚀刻导致由最慢蚀刻平面限定的结构。为了制造高尺...

2022-05-24 标签：蚀刻晶片微机械 871 0

超深熔融石英玻璃蚀刻研究

摘要 微流体和光学传感平台通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因为它们具有光学透明性和化学惰性。氢氟酸(HF)溶液是用于深度蚀刻二氧化硅衬底的选择的蚀刻介...

2022-05-23 标签：蚀刻玻璃 1620 0

在超临界二氧化碳中蚀刻氧化硅薄膜

介绍 硅或二氧化硅已被用作牺牲层来制造独立式结构，例如微机电系统(MEMS)中的梁、悬臂和隔膜。传统的含水HF已经广泛用于蚀刻二氧化硅牺牲层，因为它成本...

2022-05-23 标签：蚀刻二氧化碳 1205 0

M111N蚀刻速率，在碱性溶液中蚀刻硅

本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度，以及决定它的蚀刻机制，在涉及掩模的情况下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的...

2022-05-20 标签：蚀刻有机物 1355 0

纳米掩膜蚀刻的详细说明

在本文中，使用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻方法进行了阵列制作铁氧化物纳米点的生物纳米过程，ICP法是一种很有前途的方法，用于半导体图案化的干蚀刻方法，...

2022-05-19 标签：纳米蚀刻 1950 0

光刻胶剥离工艺的基本原理

虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本文章描述了...

2022-05-12 标签：工艺光刻蚀刻 2645 0

湿法蚀刻过程中影响光致抗蚀剂对GaAs粘附的因素

本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(D...

2022-05-10 标签：工艺蚀刻GaAs 696 0

不同掩模材料对400nm沥青光栅蚀刻特性的影响

本文主要介绍了我们华林科纳研究了用聚合物、Cr、二氧化硅和Cr-单聚聚合物等各种蚀刻掩模材料对400nm沥青硅光栅的低温深蚀刻。研究发现，下切口是限制C...

2022-05-10 标签：光栅材料蚀刻 379 0

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介绍了我们华林科纳研究了蚀刻时间和氧化剂对用氢氧化铵(铵根OH)形成的多孔氧化锌（氧化锌）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影响。在本工作中，射频磁控管溅...

2022-05-09 标签：薄膜蚀刻ZnO 825 0

HARSE工艺在先进封装技术的潜在应用

在本文中讲述了HARSE的工艺条件，其产生超过3微米/分钟的蚀刻速率和控制良好的、高度各向异性的蚀刻轮廓，还将成为展示先进封装技术的潜在应用示例。

2022-05-09 标签：封装技术蚀刻硅衬底 677 0

一种用于蚀刻的现象学结构区域模型

在本文中，结合了现有的经验和观察到的多晶氧化锌腐蚀模型，该模型可以定性地描述溅射条件、材料特性和蚀刻条件的影响。几项研究调查了溅射参数和蚀刻行为之间的关...

2022-05-09 标签：工艺蚀刻模型 452 0

多晶ZnO薄膜上HCl腐蚀的过程

ZnO是一种宽带隙半导体，可掺杂为透明导电氧化物(TCO)，用于无机和有机光伏器件，为了更好地理解ZnO薄膜的腐蚀过程，我们华林科纳发现了一种原子力显微...

2022-05-09 标签：半导体蚀刻ZnO 698 0

BOE湿蚀对三维集成中铜模式直接键界面特性的影响

在本文中，使用缓冲氧化物蚀刻(BOE)溶液进行湿法蚀刻以直接键合Cu-Cu图案之后，根据Cu图案密度变量在400℃的结温下进行Cu-Cu键合，具有良好的...

2022-05-05 标签：工艺蚀刻硅晶片 819 0