蚀刻

一种穿过衬底的通孔蚀刻工艺

通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaA...

2022-06-23 标签：工艺蚀刻衬底 703 0

使用酸性溶液对硅晶片进行异常各向异性蚀刻

在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅1...

2022-03-09 标签：实验蚀刻晶片 703 0

多晶ZnO薄膜上HCl腐蚀的过程

ZnO是一种宽带隙半导体，可掺杂为透明导电氧化物(TCO)，用于无机和有机光伏器件，为了更好地理解ZnO薄膜的腐蚀过程，我们华林科纳发现了一种原子力显微...

2022-05-09 标签：半导体蚀刻ZnO 701 0

湿法蚀刻过程中影响光致抗蚀剂对GaAs粘附的因素

本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(D...

2022-05-10 标签：工艺蚀刻GaAs 700 0

Si/SiGe多层堆叠的干法蚀刻

引言 近年来，硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此，人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的不...

2023-12-28 标签：晶圆SiGe蚀刻 687 0

通过热增强提高氮化镓的湿蚀刻速率报告

通过增加过硫酸盐(S2O82-)离子溶液的温度和254n波长紫外线(UVC)暴露，硫酸镓(氮化镓)的非接触光电化学(CL-PEC(UVC)(Horiki...

2022-02-09 标签：设备氮化镓蚀刻 686 0

一种用醋酸刻蚀氧化铜的新方法

英思特研究了在低温下用乙酸去除氧化铜。乙酸去除各种氧化铜，包括氧化亚铜、氧化铜和氢氧化铜，而不会侵蚀下面的铜膜。

2023-11-06 标签：半导体蚀刻 681 0

HARSE工艺在先进封装技术的潜在应用

在本文中讲述了HARSE的工艺条件，其产生超过3微米/分钟的蚀刻速率和控制良好的、高度各向异性的蚀刻轮廓，还将成为展示先进封装技术的潜在应用示例。

2022-05-09 标签：封装技术蚀刻硅衬底 679 0

电化学行为后的蚀刻清洗

清洁是在 32 nm 及以下技术的微电子设备中集成自对准势垒 (SAB) 的关键步骤之一。因此，研究不同清洗液对 SAB 金属成分的影响非常重要，主要涉...

2022-03-22 标签：电化学蚀刻测量 676 0

通过湿法蚀刻改善InAs工艺报告

III-V半导体广泛应用于气体检测系统、光电探测器、光遗传学、生物医学应用、高电子迁移率和异质结双极晶体管、谐振隧穿二极管和自旋电子器件太阳能电池的制造...

2022-02-14 标签：机械工艺蚀刻 665 0

低温蚀刻重新出现_

经过多年的研发，随着该行业在内存和逻辑方面面临新的挑战，一种称为低温蚀刻的技术正在重新出现，成为一种可能的生产选择。

2023-03-29 标签：半导体晶圆蚀刻 663 0

晶圆级自清洁反射硅表面的简单方法

利用氢氧化钾蚀刻和银催化蚀刻，在晶体硅片上生成了锥体分层结构，经氟化后表现出较强的抗反射和超疏水性，利用紫外辅助压印光刻技术将分层硅结构转移到NOA63...

2022-03-17 标签：蚀刻硅片仪器 648 0

单晶硅各向异性蚀刻特性的表征

在本文章中，研究了球形试样的尺寸参数，以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性，然后进行了一系列的实验，测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建...

2022-03-22 标签：参数蚀刻单晶硅 630 0

硅中的各向异性湿法蚀刻工艺课堂4（下）

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2022-08-09 标签：蚀刻 629 0

KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在11...

2022-03-09 标签：晶体材料蚀刻 613 0