蚀刻

磷酸中二氧化硅的选择性湿法蚀刻方法

摘要 在湿法工艺实施中使用单晶片处理器是先进半导体制造的一种趋势，因为它具有无污染、灵活的工艺控制以及在不损坏图案的情况下提高颗粒去除效率的优点。然而，...

2022-02-15 标签：蚀刻晶片 2054 0

通过湿法蚀刻改善InAs工艺报告

III-V半导体广泛应用于气体检测系统、光电探测器、光遗传学、生物医学应用、高电子迁移率和异质结双极晶体管、谐振隧穿二极管和自旋电子器件太阳能电池的制造...

2022-02-14 标签：机械工艺蚀刻 664 0

通过紫外线辅助光蚀刻技术实现的湿式蚀刻

我们华林科纳使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率，并产生了光滑的高质量蚀刻表面...

2022-02-14 标签：晶体管蚀刻GaN 967 0

关于微技术中硅反应离子刻蚀的研究

等离子体辅助刻蚀的基础简单；使用气体辉光放电来离解和离子化相对稳定的分子，形成化学反应性和离子性物质，并选择化学物质，使得这些物质与待蚀刻的固体反应，形...

2022-02-14 标签：材料监测蚀刻 1986 0

循环缓冲氧化物蚀刻过滤器的特性报告

本文讨论了我们华林科纳用于再循环蚀刻浴的过滤器的物理、性能和成本特性。然而，要为生产操作选择合适的过滤器，还需要蚀刻应用知识和实践经验。

2022-02-10 标签：蚀刻性能过滤器 406 0

SiC高温退火刻蚀的各向异性实验报告

我们研究了高温退火法对4h-SiC蚀刻形状的转变。虽然蚀刻掩模是圆形的，但蚀刻的形状是六边形、十二边形或十八边形，这取决于蚀刻面积的大小(图。 1).六...

2022-02-09 标签：实验SiC蚀刻 1107 0

通过热增强提高氮化镓的湿蚀刻速率报告

通过增加过硫酸盐(S2O82-)离子溶液的温度和254n波长紫外线(UVC)暴露，硫酸镓(氮化镓)的非接触光电化学(CL-PEC(UVC)(Horiki...

2022-02-09 标签：设备氮化镓蚀刻 686 0

关于InP在HCl溶液中的蚀刻研究报告

基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件，HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响，然而，InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中，为了解决...

2022-02-09 标签：电极蚀刻溶液 1044 0

氮化镓的大面积光电化学蚀刻的实验报告

索引术语:氮化镓，蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意...

2022-02-07 标签：化学蚀刻 1752 0

关于氮化镓的深紫外增强湿法化学蚀刻的研究报告

本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中，我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和...

2022-01-24 标签：半导体蚀刻 1183 0

关于GaAs在酸性和碱性溶液中的湿蚀刻研究报告

摘要 我们华林科纳用同步光电发射光谱法研究了无氧化物砷化镓表面与酸性(盐酸+2-丙醇)和碱性(氨水）溶液的相互作用。结果表明，两种溶液主要处理表面镓原子...

2022-01-24 标签：电化学蚀刻 1663 0

关于湿法蚀刻工艺对铜及其合金蚀刻剂的评述

湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度...

2022-01-20 标签：半导体蚀刻 2571 0

关于ZnO 的湿化学表面纹理化的研究报告

摘要 透明导电氧化物(TCOs)作为薄膜硅(Si)太阳能电池的前电极起着重要作用，因为它们可以提供光学散射，从而改善器件内部的光子吸收。本文报道了掺杂铝...

2022-01-20 标签：半导体蚀刻 404 0

KOH溶液中使用湿法蚀刻制备具有ZnO纳米管的倒置有机太阳能

摘要 我们江苏华林科纳讲述了倒置有机太阳能电池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化锌薄膜采用简单的水溶液路线沉积在ITO/玻璃溶液上。氧化锌薄膜通过湿...

2022-01-20 标签：半导体蚀刻 449 0

关于氮化铝单晶的湿法化学蚀刻的研究报告

引言 氮化镓因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而，GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的...

2022-01-18 标签：半导体蚀刻 889 0

关于KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻的研究报告

引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不...

2022-01-17 标签：半导体蚀刻 410 0

关于氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻的研究

光增强电化学（PEC）湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点，但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切...

2022-01-17 标签：半导体蚀刻 1413 0

对于不同KOH和异丙醇浓度溶液中Si面蚀刻各向的研究

引言 氢氧化钾溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和减少三维硅结构的凸角底切。异丙醇降低了氢氧化钾溶液的表面张力，改变了硅的蚀刻各向异性，显著降低了(...

2022-01-13 标签：蚀刻晶片 1948 0

各种湿化学处理方法及其对表面特性的影响

引言 III-V半导体广泛应用于气体检测系统、光电探测器、光遗传学、生物医学应用、高电子迁移率和异质结双极晶体管、谐振隧穿二极管和自旋电子器件太阳能电池...

2022-01-11 标签：半导体蚀刻 871 0

铝蚀刻剂控制研究—华林科纳半导体

摘要 本文对本克斯使用的铝蚀刻剂进行调查，以长期提高蚀刻部件的质量。非常薄的铝箔图案在磷酸、氯化铁和水锈溶液中精确蚀刻的铝箔图案符合尺寸和一致性标准。蚀...

2022-01-07 标签：半导体蚀刻 973 0