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衬底

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具有带有阻挡层的半导体衬底的集成电路立即下载

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可控硅保护器件制作方法与应用——错位触发原理详解

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合肥世纪金芯签下2亿美元SiC衬底片大单，产能将大幅提升

据了解，世纪金芯近期在8英寸SiC衬底片领域取得重要突破，成功开发出可重复生长出4H晶型、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体的8寸SiC单晶生长技术。

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华润微电子（重庆）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法专利公布

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