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可控硅保护器件制作方法与应用——错位触发原理详解

该项技术创新结合了至少一个插指单元，每个单元的核心组件包括：衬底及在衬底一表面上生成的外延层；第一N型阱区和P型阱区，分别在外延层内形成；第一N+区和第...

2024-05-20 标签：可控硅保护器件衬底 398 0

合肥世纪金芯签下2亿美元SiC衬底片大单，产能将大幅提升

据了解，世纪金芯近期在8英寸SiC衬底片领域取得重要突破，成功开发出可重复生长出4H晶型、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体的8寸SiC单晶生长技术。

2024-04-23 标签：晶体 SiC 衬底 1108 0

华润微电子（重庆）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法专利公布

此项发明主要涉及在衬底上构建外延叠层，并在此基础上制备栅极、漏极和源极；同时，在器件有源区周围形成屏蔽环层，并利用第一和第二金属互连层将衬底与源极连接起来。

2024-04-13 标签：GaN 衬底华润微电子 497 0

碳化硅降本关键：晶体制备技术

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在碳化硅产业链中，衬底是价值量最大的部分，在碳化硅器件成本构成中衬底甚至能够占近50%，相比之下，硅基半导体器件的成本构成...

2024-01-21 标签：衬底碳化硅第三代半导体 2643 0

江苏丹阳延陵镇与博蓝特半导体达成碳化硅衬底布局战略合作

在这次考察中，考察团主要针对博蓝特公司计划将其第三代半导体碳化硅衬底项目引入到延陵镇，这笔交易总预算高达十亿元人民币，其中包括两年内生产 25 万片六至...

2024-01-19 标签：半导体衬底碳化硅 1999 0

2023年国内主要碳化硅衬底供应商产能现状

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年里，国内碳化硅产业经历了可能是发展速度最快的一年。首先是碳化硅衬底取得突破，8英寸进展神速，同时三安和天...

2024-01-08 标签：SiC 衬底碳化硅 3535 0

华为新增多条芯片封装专利信息

该专利提出了一种全新的封装结构，由第一芯片搭配第一混合键合结构制成。这种结构能有效地连接不同芯片，提升芯片间信号传输性能。具体而言，混合键合结构包含第一...

2023-12-21 标签：芯片封装衬底 597 0

超芯星完成数亿元C轮融资，助力碳化硅衬底产能提升

自2019年4月在江苏南京建立以来，超芯星专注于6至8英寸碳化硅衬底技术的研发和商品化。其创始者为刘欣宇博士，他具有丰富的海内外产业化经历以及广阔的国际...

2023-12-14 标签：半导体衬底碳化硅 892 0

华为一种裸芯片、芯片和电子元件专利获得授权

据专利概述内容显示，此项专利属于微电子技术领域。其设计是由衬底、有源层、波导层及缓冲结构叠加组成。其中，有源层介于衬底与波导层之间，波导层为脊波导结构，...

2023-12-11 标签：华为波导微电子 1156 0

中微投资！芯元基Micro LED印章巨量转移重大突破

芯元基由行业资深专家郝茂盛博士于2014年创办，上海创徒、张江科投、中微半导体等先后进行了投资，并在上海临港建设了中试生产线。经过5年多的潜心研发，芯元...

2023-12-10 标签：晶圆级衬底 Micro LED 1217 0

碳化硅龙头优势扩大，预计24年衬底维持供不应求

23Q3，9家碳化硅器件厂商实现营收/净利润180亿元/16亿元，同比+13%/-35%，环比+0.3%/-11%。行业整体毛利率环比下降0.44pct...

2023-11-21 标签：功率器件衬底碳化硅 776 0

国内碳化硅衬底生产企业盘点

在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。碳化硅衬底的生产流程包括长晶、...

2023-10-27 标签：SiC 衬底碳化硅 2087 0

汇顶科技“芯片及芯片的制造方法”专利获授权

　根据专利摘要，芯片及其芯片制造方法。芯片包括芯片本体（10）。芯片本体（10）包括：衬底（101）、器件层（102）和多孔硅结构，器件层（102）位于...

2023-10-20 标签：芯片衬底汇顶科技 768 0

碳化硅赛道持续火热三安光电联合ST加大碳化硅赛道投资超200亿

碳化硅赛道持续火热三安光电联合ST加大碳化硅赛道投资超200亿在新能源汽车、充电桩、光伏发电、高压输电市场如火如荼之际，三安光电正持续加大投入；这次...

2023-06-08 标签：晶圆 ST 衬底 1270 0

Soitec成立30年，优化衬底焕发新生，迎通信、汽车、智能设备强劲增长

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）衬底是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。法国Soitec公司就是设计和生产优化衬底的半...

2022-12-28 标签：衬底 FD-SOI SOITEC 2620 0

ST与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术

双方同意对Soitec技术进行产前验证，以面向未来的8寸碳化硅衬底制造提供关键半导体赋能技术，支持汽车电动化和工业系统能效提升等转型目标意法半导体...

2022-12-08 标签：ST 意法半导体衬底 794 0

二维半导体薄膜在任意表面的异质外延技术

二维半导体薄膜在任意表面的异质外延技术上海超级计算中心用户北京大学陈基研究员与合作者提出了一种在不同晶体对称性、不同晶格常数和三维架构基底上异质外延生...

2022-10-19 标签：半导体超级计算衬底 1828 0

一种穿过衬底的通孔蚀刻工艺

通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaA...

2022-06-23 标签：工艺蚀刻衬底 689 0

锗基衬底抗蚀剂剥离工艺研究

具有高k栅极电介质的锗和绝缘体上锗(GeOI)MOSFET由于锗比硅具有更好的载流子传输特性，最近受到了先进技术节点的关注。对于Ge或GeOI CMOS...

2022-05-25 标签：工艺蚀刻衬底 516 0

5G、AI、汽车加持，半导体用量骤增，听听材料厂商怎么说

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）5G、人工智能以及能源效率对半导体芯片的需求增长已经是趋势，现时出现的芯片缺货现象也离不开这些新兴应用需求的影响。追溯到芯...

2021-03-12 标签：衬底 FD-SOI Soitec 5515 0

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加速度传感器

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加速度传感器是一种能够测量加速度的传感器。通常由质量块、阻尼器、弹性元件、敏感元件和适调电路等部分组成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的缩写，中文翻译为“车载诊断系统”。这个系统随时监控发动机的运行状况和尾气后处理系统的工作状态，一旦发现有可能引起排放超标的情况，会马上发出警示。
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尽管最初傅里叶分析是作为热过程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的还原论和分析主义的特征。“任意”的函数通过一定的分解，都能够表示为正弦函数的线性组合的形式，而正弦函数在物理上是被充分研究而相对简单的函数类，这一想法跟化学上的原子论想法何其相似！
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角度传感器，顾名思义，是用来检测角度的。它的身体中有一个孔，可以配合乐高的轴。当连结到RCX上时，轴每转过1/16圈，角度传感器就会计数一次。
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HCS12X系列单片机简介 Freescale 公司的16位单片机主要分为HC12 、HCS12、HCS12X三个系列。HC12核心是16位高速CPU12核，总线速度8MHZ；HCS12系列单片机以速度更快的CPU12内核为核心，简称S12系列，典型的S12总线速度可以达到25MHZ。
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采用弹性敏感元件制成悬臂式位移器，与采用弹性敏感元件制成的储能弹簧来驱动电触点，完成从重力变化到电信号的转换，广泛应用在中高端智能手机和平板电脑内。
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无刷直流电机由电动机主体和驱动器组成，是一种典型的机电一体化产品。无刷电机是指无电刷和换向器（或集电环）的电机，又称无换向器电机。早在十九纪诞生电机的时候，产生的实用性电机就是无刷形式，即交流鼠笼式异步电动机，这种电动机得到了广泛的应用。
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所谓识别技术，也称为自动识别技术，通过被识别物体与识别装置之间的交互自动获取被识别物体的相关信息，并提供给计算机系统供进一步处理。
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