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载流子

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载流子技术

PN结发生齐纳击穿的原因是什么？

PN结发生齐纳击穿是一种特殊的物理现象，它在特定的条件下发生，允许电流在低于雪崩击穿电压的情况下流过PN结。

2024-05-29 标签：PN结击穿电压载流子 924 0

二极管的限幅为什么二极管可以限制信号幅度呢？

二极管是一种半导体器件，其核心功能是允许电流只能单向流动。这一特性使得二极管在电子电路中扮演了多种角色，包括限幅功能。

2024-05-29 标签：二极管硅二极管载流子 924 0

稳压二极管的工作原理稳压二极管的特点

稳压二极管（也称为齐纳二极管）是一种特殊类型的半导体二极管，它能够维持稳定的电压，即使在电流或温度发生变化的情况下。稳压二极管的工作原理基于其独特的反向...

2024-05-24 标签：半导体稳压二极管载流子 1408 0

质子调控醌烯醇转化助力高性能水系锌电池

羰基氧化还原化学中C=O与C-O-之间的非均相烯醇化反应是广泛存在于自然界的重要生理过程。该研究揭示了基于有机羰基的水系有机电极材料的广泛应用，其中通过...

2024-05-23 标签：锌电池电解液载流子 323 0

什么是PIN二极管 PIN二极管的工作原理及特性

PIN二极管，即P-I-N二极管，是一种半导体器件，由P型半导体、本征半导体（I型，即未掺杂的半导体）和N型半导体三个部分组成。

2024-05-22 标签：半导体 PIN二极管载流子 2136 0

碳化硅衬底片比较重要的参数有哪些？

Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。

2024-05-19 标签：半导体 SiC 碳化硅 801 0

什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？

霍尔效应是电磁效应的一种，当电流通过一个位于磁场中的导体时，导体内的电荷载流子（如电子或空穴）会受到磁场的洛伦兹力作用而发生偏转，导致导体横向（垂直于电...

2024-05-16 标签：霍尔效应磁传感器载流子 5430 0

半导体应变片受力时阻值的变化主要是由什么引起的

半导体应变片是一种利用半导体材料的压阻效应来测量力学应变的传感器。

2024-05-16 标签：传感器应变片载流子 1659 0

金属应变片和半导体应变片的异同

金属应变片和半导体应变片都是用于测量机械应变的传感器，它们通过将机械形变转换为电阻变化来工作。

2024-05-16 标签：传感器半导体应变片 3757 0

如何使用双条结构改进窄脊高功率激光二极管远场角呢？

在激光器芯片的设计和应用中，远场角度是一个重要的参数。它描述了激光器发出的光束在远离芯片后，其发散程度。

2024-05-01 标签：CCD 滤波器激光器 568 0

氧化硅薄膜具体有什么用途呢？

氧化硅薄膜整个半导体制造过程是十分常见且不可或缺的，那么它具体有什么用途呢？

2024-04-22 标签：半导体晶体管载流子 608 0

单晶硅的少子寿命是指什么？表面形态对单晶硅少子寿命有何影响？

单晶硅的少子寿命是指非平衡少数载流子（电子或空穴）在半导体材料中从产生到消失（即通过复合过程失去）的平均时间。

2024-04-19 标签：半导体单晶硅载流子 2746 0

异质外延对衬底的要求是什么？

异质外延是一种先进的晶体生长技术，它指的是在一个特定的衬底材料上生长出与衬底材料具有不同晶体结构或化学组成的薄膜或外延层的过程，即：在一种材料的基片上生...

2024-04-17 标签：载流子 618 0

单晶硅电阻率的控制原理介绍

本文介绍了硅掺杂其他元素的目的、分凝现象、电阻率与掺杂浓度之间的关系、共掺杂技术等知识，解释了单晶硅电阻率控制原理。

2024-04-07 标签：半导体单晶硅载流子 1396 0

影响雪崩二极管响应速度的原因有哪些？

雪崩二极管，也称为碰撞雪崩渡越时间二极管（IMPATT），是一种在微波频率下使用的二极管，其工作原理基于载流子在高电场中的雪崩倍增效应。

2024-04-03 标签：二极管雪崩二极管高频振荡器 1412 0

Littelfuse N沟道和P沟道功率MOSFET的比较分析

Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加...

2024-04-02 标签：MOSFET 电压控制体二极管 1317 0

高效介孔钙钛矿太阳能电池的电子注入和缺陷钝化！

大多数钙钛矿太阳能电池(PSC)均采用分层结构，其中包括空穴传输层(HTL)和贵金属电极。可印刷介观钙钛矿太阳能电池(p-MPSC)不需要传统p-n结所...

2024-03-20 标签：太阳能电池光电器件电流电压 629 0

可充电电池中的高熵电解质设计

可充电电池领域在高效和可持续能源技术需求的增加的推动下，已经取得了显著的进步。

2024-03-15 标签：锂离子电池电解质可充电电池 1667 0

可靠性测试中,如何减少HCI和电迁移的测试时间？

许多可靠性“磨损”测试监测的是一个性能参数，该参数随着对数变化的时间长度而稳步下降。

2024-03-13 标签：DRAM NMOS 晶体管 1712 0

钙钛矿基近红外光电探测器综述

近年来，具有ABX₃晶体结构的有机金属卤化物钙钛矿材料因其可调带隙、高吸收系数、长载流子传输距离等光电学特性而在光电探测领域表现出良好应用前景

2024-03-11 标签：晶体管光信号光电探测器 2746 0

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尽管最初傅里叶分析是作为热过程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的还原论和分析主义的特征。“任意”的函数通过一定的分解，都能够表示为正弦函数的线性组合的形式，而正弦函数在物理上是被充分研究而相对简单的函数类，这一想法跟化学上的原子论想法何其相似！
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