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载流子

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载流子技术

肖特基二极管的优势肖特基二极管的应用

二极管在电子电路中的应用是非常广泛的，作为一种导通电压降较低、允许高速切换的二极管。

2024-03-08 标签：电源管理变频器肖特基二极管 1118 0

合科泰推出一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，因为PMOS是N型硅衬底，多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以...

2024-03-01 标签：led照明稳压器 PMOS 1793 0

紫外发光二极管的发光原理紫外发光二极管的结构

紫外发光二极管是指可发出波长约400nm的近紫外光的发光二极管（led）。

2024-02-26 标签：半导体发光二极管 PN结 2418 0

一文详解雪崩击穿与齐纳击穿

材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

2024-02-25 标签：PN结雪崩击穿载流子 4734 0

红外焦平面探测器复合条件工作点闪元标定方法研究

近年来随着无人机等远距目标检测需求的兴起，基于红外波段的弱小目标检测技术因其全天时、探测距离远、不主动发射电磁波等特点成为了研究热点。

2024-02-25 标签：红外探测器电磁波信号传输 404 0

三极管的工作原理三极管的放大作用

当我们三极管的基极没有加电压的时候，发射区的电子，因为基极正电场比较弱，而不能流向基极

2024-02-21 标签：三极管正电压载流子 861 0

IGBT内部结构过热和过流的区别

IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个 P+基板（IGBT 的集电极），形成P...

2024-02-19 标签：MOSFET IGBT NPN晶体管 2.0万 0

什么是双极性晶体管？双极型晶体管的放大模式解析

双极型晶体管，电子工业的基石，引领着人类科技发展的重要引擎。

2023-12-28 标签：二极管半导体晶体管 2288 0

MOSFET发生EOS的失效模式有哪些？如何区分是什么原因失效的？

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，其主要功能是控制电流的流动。

2023-12-15 标签：MOSFET 场效应晶体管 EOS 8352 0

讲讲气敏电阻的型号命名方法

气敏电阻是一种根据气体浓度变化而改变电阻值的敏感元件。它广泛应用于各种气体检测和控制电路中，如烟雾报警器、煤气泄漏报警器等。

2023-12-14 标签：半导体控制电路气敏电阻 715 0

热敏电阻电路的工作过程

热敏电阻是一种根据温度变化而改变电阻值的敏感元件。它广泛应用于各种温度测量和控制电路中，如恒温器、温度计、电子炉等。

2023-12-14 标签：半导体热敏电阻控制电路 3417 0

n型半导体和p型半导体在导电机制上有何不同？

n型半导体和p型半导体之间的主要区别在于它们的载流子类型和浓度。

2023-12-13 标签：半导体载流子 2879 0

n型p型半导体与本征半导体相比有什么特点？

本征半导体：本征半导体主要由价电子和空穴组成。在常温下，自由电子和空穴的数量很少，因此它的导电能力比较微弱。另外，本征半导体的载流子浓度与温度密切相关，...

2023-12-13 标签：半导体载流子本征半导体 2267 0

基于原位掺杂和浅台面型架构的短波红外InGaAs光电二极管开发

随着安防、汽车、工业、农业等各个领域需求的不断增长，短波红外（SWIR）传感器的发展也随之兴起。

2023-12-12 标签：集成电路 CMOS 光电二极管 598 0

什么是离子注入？离子注入相对于扩散的优点？

想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。

2023-12-11 标签：led 集成电路芯片制造 3860 0

MOS结电容（下）MOS的结电容应用特性分解

我们需要先将结电容与关断波形联系起来。三个结电容的容值是Vds电压的函数，同时，电压Vds的变化（dv/dt）又与结电容相关。

2023-12-05 标签：二极管 MOS 续流二极管 4068 0

如何利用FIB和SEM中的有源和无源电位衬度进行失效定位呢？

无源电位衬度（Passive Voltage Contrast，PVC）定位基于导电结构的FIB或SEM图像或多或少的亮度差异，可用于半导体电路的失效定位。

2023-12-01 标签：电容器探测器 PVC 2369 0

IGBT的终端耐压结构—平面结和柱面结的耐压差异（2）

下面对电场积分，我们看看随着增长，即耗尽区深度的增长，柱面结与平面结所承受电压分布的差异。

2023-12-01 标签：IGBT PN结击穿电压 903 0

IGBT的关断瞬态分析—IV关系（2）

上一节我们建立了基区宽度与外加电压随时间的变化关系

2023-12-01 标签：IGBT PIN管载流子 718 0

IGBT的关断瞬态分析—IV关系（1）

我们曾在文中反复提及，电压是电场的积分，而电场是电荷的积分，所以要得到电压的关断瞬态，就必须弄清楚电荷的分布以及积分的边界。

2023-12-01 标签：IGBT PN结电流电压 839 0

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加速度传感器是一种能够测量加速度的传感器。通常由质量块、阻尼器、弹性元件、敏感元件和适调电路等部分组成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的缩写，中文翻译为“车载诊断系统”。这个系统随时监控发动机的运行状况和尾气后处理系统的工作状态，一旦发现有可能引起排放超标的情况，会马上发出警示。
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尽管最初傅里叶分析是作为热过程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的还原论和分析主义的特征。“任意”的函数通过一定的分解，都能够表示为正弦函数的线性组合的形式，而正弦函数在物理上是被充分研究而相对简单的函数类，这一想法跟化学上的原子论想法何其相似！
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