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载流子

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载流子技术

可充电电池中的高熵电解质设计

可充电电池领域在高效和可持续能源技术需求的增加的推动下，已经取得了显著的进步。

2024-03-15 标签：锂离子电池电解质可充电电池 714 0

稳压二极管的工作原理稳压二极管的特点

稳压二极管（也称为齐纳二极管）是一种特殊类型的半导体二极管，它能够维持稳定的电压，即使在电流或温度发生变化的情况下。稳压二极管的工作原理基于其独特的反向...

2024-05-24 标签：半导体稳压二极管载流子 690 0

IGBT稳态分析—电流与电荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理结构模型》中，我们将IGBT内部PIN结切分成了PIN1和PIN2（见上一节插图），因为PIN1与沟槽所构成的MOS串联

2023-12-01 标签：IGBT MOS PN结 668 0

IGBT中的若干PN结—PNP结构（2）

IGBT中存在如图所示的两个寄生BJT，BJT_1为NPN型，BJT_2为PNP型，我们来看看这两个寄生BJT的电流增益有多大。

2023-11-28 标签：IGBT BJT 漏电流 667 0

IGBT的终端耐压结构—平面结和柱面结的耐压差异（2）

下面对电场积分，我们看看随着增长，即耗尽区深度的增长，柱面结与平面结所承受电压分布的差异。

2023-12-01 标签：IGBT PN结击穿电压 643 0

与MOS不同，IGBT高温/常温输出特性曲线为何有交点？

其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大，导致Vbi随温度升高而减小，呈现负的温度系数。

2023-11-29 标签：IGBT MOS PN结 627 0

肖特基二极管的优势肖特基二极管的应用

二极管在电子电路中的应用是非常广泛的，作为一种导通电压降较低、允许高速切换的二极管。

2024-03-08 标签：电源管理变频器肖特基二极管 617 0

单晶硅电阻率的控制原理介绍

本文介绍了硅掺杂其他元素的目的、分凝现象、电阻率与掺杂浓度之间的关系、共掺杂技术等知识，解释了单晶硅电阻率控制原理。

2024-04-07 标签：半导体单晶硅载流子 608 0

IGBT的稳态分析—电流与电荷分布关系修正

如前所述，修正图片、图片与图片的关系关键在于要重新基于BJT结构模型来建立图片与图片的关系。

2023-12-01 标签：IGBT PN结 BJT 591 0

二极管及其应用

本征半导体中具有两种载流子，一个是空穴（原子由于失去一个电子形成的空穴，此时原子带正电荷），另一个是自由电子，自由电子和空军均参与导电，这是半导体导电的...

2023-03-02 标签：半导体导电载流子 581 0

一种具有435 mV光电压的n+p-型硅纳米线光电阴极生产NADH

光阴极催化烟酰胺腺嘌呤二核苷酸（NAD+）转化为1, 4-二氢烟酰胺腺嘌呤二核苷酸（NADH）辅助因子是激活氧化还原生物催化剂和利用可再生太阳能进行酶促...

2023-09-05 标签：驱动器偏置电压载流子 566 0

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（2）

上一节的分析中，仅考虑了PIN1，而未考虑PIN2。PIN1与MOS结构相连接，而PIN2则与基区相连接。

2023-11-30 标签：IGBT MOS 载流子 552 0

三极管的工作原理三极管的放大作用

当我们三极管的基极没有加电压的时候，发射区的电子，因为基极正电场比较弱，而不能流向基极

2024-02-21 标签：三极管正电压载流子 552 0

半导体应变片受力时阻值的变化主要是由什么引起的

半导体应变片是一种利用半导体材料的压阻效应来测量力学应变的传感器。

2024-05-16 标签：传感器应变片载流子 546 0

IGBT的关断瞬态分析—IV关系（1）

我们曾在文中反复提及，电压是电场的积分，而电场是电荷的积分，所以要得到电压的关断瞬态，就必须弄清楚电荷的分布以及积分的边界。

2023-12-01 标签：IGBT PN结电流电压 535 0

通向大贝里曲率的新途径简析

包括 Ising 在内的黎民百姓，崇尚眼见为实，在周围实空间中看到什么就描述什么。这是认识客观世界的基础，所以物理人注重描绘物体的大小、形状及其运动。

2023-09-15 标签：驱动器电阻器 SoC系统 528 0

一个电路感受一下MOS管和三极管在功能上有什么区别？

MOS管和三极管在功能上有什么区别？这两种元件本身就可以看作一个基本单元，一个独立的器件，就算拆开外壳，用肉眼也找不出什么差别，从工作原理上理解又謷牙诘...

2023-11-13 标签：三极管 led灯 MOS管 527 0

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(1)

现在我们把时间变量图片加入，进行电荷总量图片的瞬态分析。当栅极电压低于阈值电压，IGBT内部存储的电荷开始衰减，衰减过程是因为载流子寿命有限而自然复合

2023-12-01 标签：IGBT 电流突变载流子 520 0

半导体行业之半导体材料特性（六）

锗和硅是两种基本的半导体。世界上第一个晶体管是由锗材料制成的，作为固态电路时代的最初的一个标志。

2023-11-20 标签：半导体发光二极管晶体管 503 0

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（3）

这里需要注意的是，载流子电流为零并不意味着载流子浓度为零，反之亦然。对于PIN1结构，因为阳极和阴极的多子浓度远大于少子浓度，所以可以忽略少子电流；

2023-12-01 标签：IGBT MOS PN结 493 0

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尽管最初傅里叶分析是作为热过程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的还原论和分析主义的特征。“任意”的函数通过一定的分解，都能够表示为正弦函数的线性组合的形式，而正弦函数在物理上是被充分研究而相对简单的函数类，这一想法跟化学上的原子论想法何其相似！
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