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深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业，公司位于深圳市南山科技园长园新材料港园区内，现有员工200余人，其中研发和技术支持相关人员占45%.
近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的MOSFET产品，分别是N沟道RUH1H80R-A（100V/80A）和P沟道RU4
近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品，为市场带来了更加高效的解决方案。
深圳市锐骏半导体（www.ruichips.com）在深圳市南山区科兴科学园会议中心召开了他们12英寸MOSFET成功投
深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业，公司位于深圳市南山科技园长园新材料港园区内，现有员工200余人，其中研发和技术支持相关人员占45%；公司成立近十年来，迅速成长壮大，年销售额突破数亿人民币，在适配器快充、移动快充、车充、电机控制、新能源、逆变、锂电保护等应用领域均占有领先地位，深圳锐骏半导体致力于新产品研发，持续更新/优化新工艺、新技术，现有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大类产品线、数百种型号，累计获得国家发明专利18项，尤其是锐骏独创的TO- 220内绝缘封装技术，彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。
深圳锐骏半导体在不断加大研发投入的同时，坚持不断优化销售网络和拓展销售渠道，改变公司直销终端客户为寻求和代理商的合作，发挥原厂技术优势和代理商渠道优势，快速推出新产品，快速占领市场。
深圳锐骏半导体：锐意进取，骏马腾飞，中国功率器件领先品牌。
发展历程：
2009年，公司成立，产品成功导入量产，推向市场。
2010年，完善MOSFET产品线，取得多项创新专利。
2011年，被评为2011年中国IC设计十大企业
获得2011年中国IC设计公司成就奖
在电动车应用领域取得显著成果，市场占有率大幅提高，得到行业客户认可
获得ISO9001认证和ROHS环保认证。
2012年，成为中国电源学会、半导体协会理事成员，成为国家高新技术企业
2013年，成立半导体研发学院和实验室。
2014年，中国第一代内绝缘MOS产品研发成功。
2015年，LED驱动芯片研发成功，中国电子网专题报道，被评为中国半导体功率器件领军企业。
2016年，改制为股份有限公司，成立锐骏产品学院。
2017年，在井冈山确立公司发展的基本路线和基本方针。
2018年，公司实现流程化和系统化管理改造，荣获为2018 IC设计成就奖。
2019年，国内率先实现MOSFET 12寸晶圆工艺量产，调补国内空白。
2020年，公司完成第五代SGT技术平台开发并投入量产；投资建设自主封装产线。
近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的MOSFET产品，分别是N沟道RUH1H80R-A（100V/80A）和P沟道RU40P30L（-40V/-30A）...
近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品，为市场带来了更加高效的解决方案。
深圳市锐骏半导体（www.ruichips.com）在深圳市南山区科兴科学园会议中心召开了他们12英寸MOSFET成功投产的发布会，2019年12英寸新...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| RU3070L | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
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|
|
| RU307C |
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|
||
| RU30P3B | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; |
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|
|
| RU20P3B | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; |
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|
|
| RU75150R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):148A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
获取价格
|
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