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标签 > 锐骏半导体
深圳锐骏半导体股份有限公司(Ruichips)是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业,公司位于深圳市南山科技园长园新材料港园区内,现有员工200余人,其中研发和技术支持相关人员占45%.
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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RU3070L | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
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RU307C |
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RU30P3B | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; |
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RU20P3B | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; |
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RU75150R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):148A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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RU8590R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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RU40190R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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RU3040M3 |
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RU20P7C | MOSFETs P-Channel 20V 5A SOT23-3 1.3W |
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RU30J30M | MOSFETs 2个N-沟道 VDS=30V ID=30A RDS(ON)=12mΩ@16A,4.5V PDFN8_4.9X5.75MM |
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RU3030M2 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=25mΩ@16A,4.5V PDFN3333 |
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RUH30J51M | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=7mΩ@35A,4.5V PDFN5060 |
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RU1Z200Q |
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RU3060L |
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RU8205C6 |
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RU6070L |
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RU75110S |
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RU6080L |
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RU207C | RU207C |
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RU75N08L | RU75N08L |
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RU2060L | RU2060L |
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RU6888S-R | RU6888S-R |
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RU3070M2 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=70A RDS(ON)=3.6mΩ@10V PDFN3333 |
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RU20P7C6 | • Load Switch • Power Management • Battery Protection |
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RU1HL8L | • Power Management • DC/DC Converters |
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RU60E6H | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=35mΩ@10V SOP8_150MIL |
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RU55L18L | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16A RDS(ON)=115mΩ@10V TO252 |
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RUH6088M | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=88A RDS(ON)=8mΩ@4.5V PDFN5060 |
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RU3415B | • Load Switch • Power Management • Battery Protection |
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RUH30D18H | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V SOP8_150MIL |
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