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2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。
该发明涉及一种新型半导体器件冷却装置，主要由冷却部及驱动部组成。冷却部内置第一冷却介质通道，驱动部可在第一位置与第二位置
具体来说，译码模块负责接收并解析模式寄存器信号，产生多个译码信号。而延时模块则由多个延时子模块组成，可以根据译码信号选择
长鑫存储科技有限公司“沉积设备、静电卡盘、加热系统及其控温技术”
此项发明涉及一种新型沉积设备、静电卡盘和加热机构，并提供了相应的控温方法。加热机构主要由导热板、加热组件及控制器组成。加
这项发明涉及半导体器件制备设备及制备策略，主要包含气体管道、气体优化系统及反应腔室三大组件。其中，气体管道设有多个气体入
长鑫科技融资108亿元！增资助推DRAM业务腾飞，估值达1400亿元
本轮所有投资人均以相同条款及价格，与长鑫科技、上述三个早期股东签署增资协议，并将签署《关于长鑫科技集团股份有限公司之股东
这个新颖的发明主要是关于一款包含以下几个部分的半导体结构：基底，基底上分布着一系列等距排列的电容接触结构，隔离结构，它处
首款国产LPDDR5存储芯片来了！已在小米、传音等品牌机型上完成验证
LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和
据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“时钟信号生成电路、方法及存储器”的专利，授权公告号CN11663
长鑫存儲最近在其官网上宣布，已研发出中国首款 LPDDR5 DRAM记忆体芯片，并即将推出包括12GB LPDDR5、P
资料显示，LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，
2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。
我们将凭借值得信赖的产品和服务满足不断增长的市场需求，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储芯片公司，以存储科技赋能信息社会，改善人类生活。
从2018年开始，世界的局势越来越紧张，米国尤其在以芯片为代表的高科技行业对我们全方面的弹压，所以保证芯片的自立自主呼声越来越高。之前我们也测试过一对紫...
继推出全系列容量的DDR4内存和基于长鑫存储DRAM资源的国产化内存后，江波龙在内存测试技术上不断探索，除了自主开发基于10nm ASIC的测试系统外，...
该发明涉及一种新型半导体器件冷却装置，主要由冷却部及驱动部组成。冷却部内置第一冷却介质通道，驱动部可在第一位置与第二位置间移动，在第一位置时，驱动部与冷...
具体来说，译码模块负责接收并解析模式寄存器信号，产生多个译码信号。而延时模块则由多个延时子模块组成，可以根据译码信号选择合适的目标延时模块，然后根据目标...
长鑫存储科技有限公司“沉积设备、静电卡盘、加热系统及其控温技术”
此项发明涉及一种新型沉积设备、静电卡盘和加热机构，并提供了相应的控温方法。加热机构主要由导热板、加热组件及控制器组成。加热组件包含至少两个加热元件，其中...
这项发明涉及半导体器件制备设备及制备策略，主要包含气体管道、气体优化系统及反应腔室三大组件。其中，气体管道设有多个气体入口管道；在反应腔室内，自上而下依...
长鑫科技融资108亿元！增资助推DRAM业务腾飞，估值达1400亿元
本轮所有投资人均以相同条款及价格，与长鑫科技、上述三个早期股东签署增资协议，并将签署《关于长鑫科技集团股份有限公司之股东协议》，共同参与长鑫科技增资事项。
这个新颖的发明主要是关于一款包含以下几个部分的半导体结构：基底，基底上分布着一系列等距排列的电容接触结构，隔离结构，它处于基底顶部并在电容接触结构之间；...
首款国产LPDDR5存储芯片来了！已在小米、传音等品牌机型上完成验证
LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12G...
长鑫存儲最近在其官网上宣布，已研发出中国首款 LPDDR5 DRAM记忆体芯片，并即将推出包括12GB LPDDR5、POP封装的12GB LPDDR5...
据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“时钟信号生成电路、方法及存储器”的专利，授权公告号CN116631469B，申请日期为2023年7月。
资料显示，LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，提供更窄的通道宽度、尺寸更小、工...
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