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长鑫存储

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2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。

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长鑫存储技术

基于长鑫国产颗粒的DDR4内存的测试报告

从2018年开始，世界的局势越来越紧张，米国尤其在以芯片为代表的高科技行业对我们全方面的弹压，所以保证芯片的自立自主呼声越来越高。之前我们也测试过一对紫...

2020-07-29 标签：DDR4 紫光长鑫存储 8687 0

内外兼修，江波龙DDR4内存已通过KTI专项测试认证

继推出全系列容量的DDR4内存和基于长鑫存储DRAM资源的国产化内存后，江波龙在内存测试技术上不断探索，除了自主开发基于10nm ASIC的测试系统外，...

2020-06-23 标签：内存 DDR4 江波龙 2653 0

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　　NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。
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NVM Express（NVMe），或称非易失性内存主机控制器接口规范（英语：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，缩写：NVMHCIS），是一个逻辑设备接口规范。它是与AHCI类似的、基于设备逻辑接口的总线传输协议规范（相当于通讯协议中的应用层）
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