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2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。

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长鑫存储资讯

长鑫存储"半导体器件冷却设备"专利公开

该发明涉及一种新型半导体器件冷却装置，主要由冷却部及驱动部组成。冷却部内置第一冷却介质通道，驱动部可在第一位置与第二位置间移动，在第一位置时，驱动部与冷...

2024-04-26 标签：半导体器件长鑫存储 374 0

长鑫存储公布新型存储器延时控制电路

具体来说，译码模块负责接收并解析模式寄存器信号，产生多个译码信号。而延时模块则由多个延时子模块组成，可以根据译码信号选择合适的目标延时模块，然后根据目标...

2024-04-26 标签：寄存器存储器长鑫存储 421 0

长鑫存储科技有限公司“沉积设备、静电卡盘、加热系统及其控温技术”

此项发明涉及一种新型沉积设备、静电卡盘和加热机构，并提供了相应的控温方法。加热机构主要由导热板、加热组件及控制器组成。加热组件包含至少两个加热元件，其中...

2024-04-15 标签：控制器热元件长鑫存储 449 0

长鑫存储获半导体器件制备装置及方法专利

这项发明涉及半导体器件制备设备及制备策略，主要包含气体管道、气体优化系统及反应腔室三大组件。其中，气体管道设有多个气体入口管道；在反应腔室内，自上而下依...

2024-04-03 标签：晶圆半导体器件长鑫存储 326 0

长鑫科技融资108亿元！增资助推DRAM业务腾飞，估值达1400亿元

本轮所有投资人均以相同条款及价格，与长鑫科技、上述三个早期股东签署增资协议，并将签署《关于长鑫科技集团股份有限公司之股东协议》，共同参与长鑫科技增资事项。

2024-03-30 标签：DRAM 长鑫存储 2681 0

长鑫存储新专利揭示半导体结构与制造方法

这个新颖的发明主要是关于一款包含以下几个部分的半导体结构：基底，基底上分布着一系列等距排列的电容接触结构，隔离结构，它处于基底顶部并在电容接触结构之间；...

2024-03-14 标签：半导体电容长鑫存储 656 0

首款国产LPDDR5存储芯片来了！已在小米、传音等品牌机型上完成验证

LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12G...

2023-12-06 标签：芯片长鑫存储 LPDDR5 1325 0

中国长鑫存儲自主研发 LPDDR5 完成

长鑫存儲最近在其官网上宣布，已研发出中国首款 LPDDR5 DRAM记忆体芯片，并即将推出包括12GB LPDDR5、POP封装的12GB LPDDR5...

2023-12-03 标签：芯片 DRAM 长鑫存储 918 0

长鑫存储取得时钟信号生成技术专利

据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“时钟信号生成电路、方法及存储器”的专利，授权公告号CN116631469B，申请日期为2023年7月。

2023-12-04 标签：时钟信号长鑫存储 426 0

长鑫存储LPDDR5正式进军移动终端市场

资料显示，LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，提供更窄的通道宽度、尺寸更小、工...

2023-12-01 标签：DRAM DDR LPDDR 483 0

国内首家！长鑫存储实现国内DDR5零突破

与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPD...

2023-11-30 标签：芯片 DDR5 长鑫存储 1662 0

长鑫存储首款国产LPDDR5，推动产业跨入LPDDR5领域

　相比上一代LPDDR4，长鑫的LPDDR5单颗芯片容量和速率都提升了50%，达到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。从产品应用和市场角度...

2023-11-29 标签：DRAM 封装技术数据安全 1524 0

长鑫存储推出自主研发的LPDDR5 DRAM存储芯片

长鑫12GB LPDDR5芯片由8个12Gb颗粒封装，这是长鑫存储首款采用层叠封装（Package on Package）的芯片产品。

2023-11-29 标签：DRAM 存储芯片长鑫存储 1165 0

国内首家，长鑫存储推出多款 LPDDR5产品

长鑫存储12gb lpddr5芯片目前已经在韩国主流手机制造商小米、传音等品牌机型上完成了验证。lpddr5是长鑫存储针对中高端移动机器市场推出的产品，...

2023-11-29 标签：芯片半导体 DRAM 1300 0

长鑫存储”晶圆循环时间的确定方法和装置“专利获授权

据专利文摘（摘要），本申请的决定施行如晶片周期时间的方法及装置提供，获取多个站点的机台的实际生产数据，根据多个站点的机台的实际生产数据，建立随机数表，该...

2023-10-09 标签：晶片模拟器长鑫存储 770 0

长鑫存储“半导体设备生产效率的评估方法及装置”专利获授权

根据专利摘要，本申请提供如下评价半导体设备生产效率的方法及装置：评价半导体设备生产效率的方法是：提供1个半导体设备，半导体设备至少包括1个制造单元。半导...

2023-09-12 标签：晶圆半导体设备长鑫存储 555 0

兆易创新DDR3L GDPxxxLM系列产品采用长鑫存储（CXMT）先进制程

受总体经济影响，消费性电子市场低迷，DRAM需求持续减弱，且价格也全面下跌，然作为利基型市场，从中长期看，全球DRAM市场仍将保持增长，下行压力之下，当...

2022-10-13 标签：DRAM DDR3 兆易创新 3172 0

长鑫存储入选“2021—2022年度半导体与集成电路最具投资价值公司”

日前，甲子光年举办的“2022科技产业投资峰会”长鑫存储入选“2021—2022年度半导体与集成电路最具投资价值公司”。长鑫存储作为国内专业从事DRAM...

2022-08-04 标签：DRAM 长鑫存储 3216 0

国产内存加速 DRAM厂商长鑫存储完成156亿元融资

DRAM厂商长鑫存储完成156亿元融资，内存芯片的国产替代之路又获资金助力。12月14日，工商信息显示，大基金二期、安徽国资、兆易创新及另一家朱一明...

2020-12-25 标签：DRAM 内存存储芯片 5327 0

【芯闻精选】华为发布鸿蒙OS手机开发者Beta版明年覆盖1亿台设

据印度媒体ETTelecom报道，不仅是纬创，暴力事件对于苹果来说，或许也是一大挫折。当地时间12月11日，纬创位于印度南部的一家组装厂因劳资纠纷发生暴...

2020-12-17 标签：纬创长鑫存储 1290 0

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云存储是在云计算（cloud computing）概念上延伸和发展出来的一个新的概念，是一种新兴的网络存储技术，本章详细介绍了什么是云储存，云数据存储，免费云存储哪个好，云储存应用技术等内容。
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富士通凭借在ICT领域的丰富经验和实力，致力于与客户携手共创美好的未来社会。富士通集团（东京证券交易所上市代码：6702）截至2015年3月31日财政年度的合并收益为4.8兆日元（400亿美元）。
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非易失性存储器一般指非易失性内存，非易失性存储器（英语：non-volatile memory，缩写为NVM）是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。
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