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标签 > 阈值电压
阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时,电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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MOS管的阈值电压(Threshold Voltage)是一个至关重要的参数,它决定了MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通与截止状态,对MOS...
二极管阈值电压和导通电压是两个关键参数,它们对于二极管的工作特性和应用至关重要。以下是对这两个参数的详细对比和分析,包括定义、测量、影响因素以及在实际应...
滞回比较器(Hysteresis Comparator)是一种具有滞回特性的比较器,其输出在输入电压变化时具有滞后现象。滞回比较器广泛应用于模拟电路、数...
同向滞回比较器是一种常用的模拟电路,其主要功能是将输入信号与参考电压进行比较,并根据比较结果输出高电平或低电平。同向滞回比较器具有滞回特性,即在输入信号...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的阈值电压(Vt)是其工作性能中的一个关键参数,它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。M...
NAND Flash上的,指的是用于向闪存单元写入数据时使用的较高编程电压。通常高于用于其他操作如读取或擦除的正常工作电压。
2024-05-30 标签:电荷泵VccNand flash 1584 0
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
在SPICE模拟器中应该调谐优化哪些模型参数?需要全部调优吗?
在SPICE模拟器中有几十种标准的半导体器件模型,例如,用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近200个模型参数,而一个硅基的CMOS器件的BSIM...
合科泰推出一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型衬底、P沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管,因为PMOS是N型硅衬底,多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以...
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