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标签 > 阻变存储器
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忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示,与电阻R,电容C,电感L构成四种基本无源电路器件,它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带,其同时具备电阻和...
近年来,随着芯片工艺制造的进步,工艺制程逐渐接近物理极限,深度神经网络的发展使得计算量和参数量呈指数上升。具有高密度,非易失,易加工等优点的阻变存储器(...
基于上述因素,越来越多的MCU大厂开始选择在MCU中集成新型存储器,比如相变存储器(PCM)、磁RAM(MRAM)和阻变存储器(RRAM)等,当然不同的...
目前,闪存芯片存储技术以高存储密度、低功耗、擦写次数快等优势占据了非挥发性存储芯片的垄断地位,但随着半导体工艺的不断发展,闪存芯片存储技术遇到了技术瓶颈...
国内存储也有一些创新,长江存储的Xtacking结构,和前边提到的4D结构类似,把CuA单元放在顶层,一样也是盖高楼,64层,然后往更多的96层,100...
日前,中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。
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