雪崩击穿

雪崩击穿知识

• 

  功率器件雪崩击穿的工作原理和失效机理

  雪崩耐量是功率器件性能评估的关键指标，那么什么是雪崩耐量呢？即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流

  2024-08-15 标签： MOSFET 雪崩击穿 功率器件 822 0

• 什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种？

  PN结的反向击穿是半导体物理学中的一个重要概念，它指的是在PN结处于反向偏置状态时，当外加的反向电压增加到一定程度时，P

  2024-07-25 标签： 半导体 PN结 雪崩击穿 3689 0

• 

  一文详解齐纳击穿和雪崩击穿

  图1给出了PN二极管的伏安特性，包括击穿区域。因此，当PN二极管高度反向偏置时，结可能会击穿，即它呈现极小的电阻，导致电

  2024-05-05 标签： 二极管 雪崩击穿 8219 0

• 

  TVS瞬态电压抑制器关键参数都有哪些？

  TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。

  2024-02-26 标签： 二极管 TVS 雪崩击穿 1079 0

• 

  MOSFET雪崩击穿图解 MOSFET避免雪崩失效的方法

  当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。

  2024-02-25 标签： MOSFET 雪崩击穿 功率器件 3852 0

• 

  一文详解雪崩击穿与齐纳击穿

  材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

  2024-02-25 标签： PN结 雪崩击穿 载流子 4730 0

• 

  什么是雪崩击穿？电除尘器中的电子雪崩现象

  材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

  2024-02-25 标签： 示波器 雪崩击穿 单脉冲 1134 0

• 

  什么是雪崩击穿 雪崩失效电流路径示意图

  雪崩击穿（Avalanche Breakdown）是半导体器件中一个关键的物理现象，特别是在PN结二极管和各种类型的功率

  2024-02-23 标签： 电流 半导体 雪崩击穿 2641 0

• 

  GaN同质外延中的雪崩特性研究

  当前，人们正在致力于研发氮化镓和其他III族氮化物的高功率、高频率器件。

  2024-01-11 标签： 雪崩击穿 氮化镓 GaN 980 0

• 

  雪崩击穿和齐纳击穿区别有哪些

  崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象

  2023-12-30 标签： 电压 雪崩击穿 半导体器件 17700 0

展开查看更多