雪崩击穿是指材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强，雪崩击穿有正温度系数，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种现象称为电子雪崩现象。