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上海韦尔半导体股份有限公司(SH:603501)是全球排名前列的中国半导体设计公司。集团研发中心与业务网络遍布全球,年出货量超过135亿颗。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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WD1035DH-8/TR | 高效5V, 3A连续,1.5MHz同步降压调节器 |
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ESD5Z5VU-2/TR | TVS VRWM=5V VBR(Min)=7V VC=18V IPP=4A Ppp=60W SOD523 |
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WNM2046C-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):550mA 功率(Pd):270mW |
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ESD9N5BM-2/TR | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=7V |
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ESD56201D12-2/TR | VRWM=12V VBR(Min)=16V VC=19.5V IPP=22A Ppp=1600W DFN1610-2L |
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ESD5641D07-3/TR | TVS二极管 VRWM=7.5V VBR(Min)=8V VC=18V IPP=190A |
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ESD5641D15-3/TR | TVS二极管 VRWM=15V VBR(Min)=16V |
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ESDA6V8AV5-5/TR | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=6.2V VC=12V IPP=3A Ppk=36W SOT553 |
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ESD5681N07-2/TR | TVS VRWM=7V VBR(Min)=8V VC=16V IPP=27A Ppp=450W DFN1006-2L |
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WSB5508L-2/TR | 中功率肖特基势垒二极管 40V 570mV@1A 1A SOD-123 |
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WSB5511M-2/TR | 肖特基屏障二极管 500uA@40V 40V Single 500mV@3A 3A SMA |
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WSB5503W-2/TR | 中功率肖特基势垒二极管 40V 570mV@1A 1A SOD-323 |
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WSB5546N-2/TR | 肖特基二极管 40V 200mA 600mV@200mA DFN1006-2L |
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WNM2077-3/TR | 功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723 |
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WSB5507W-2/TR | 中功率肖特基势垒二极管 |
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WS4622C-4/TR | 2A, 38 mΩ, 250nA静止电流和90nA备用电流负载开关 |
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WSB5558N-2/TR | 肖特基势垒二极管 30uA@30V 30V Single 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L |
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WNM4006-3/TR | 单N沟道,45V,1.7A,功率MOSFET |
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MM3Z5V1-2/TR | 500mW,SOD-323齐纳二极管 |
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ESD56131W-2/TR | TVS二极管 VRWM=4.6V VBR(Min)=4.8V VC=14V IPP=100A Ppk=1400W SOD323F |
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WNM3018-3/TR | 小信号n通道,50V, 0.2A, MOSFET |
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WPM3012-3/TR | 功率MOSFET 30V 2.9A 58mΩ@10V,3.1A 800mW 1.9V@250uA 56pF@20V P Channel 654pF@20V 1.55nC@10V +150℃@(Tj) SOT-23 |
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ESD56201D15-2/TR | VRWM=15V VBR(Min)=16V VC=27V IPP=30A Ppp=1600W DFN1610-2L |
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WL2803E25-5/TR | 超低功耗,500mA, CMOS LDO |
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WL2803E12-5/TR | 超低功耗,500mA, CMOS LDO |
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WCM2001-6/TR | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@4.5V |
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WS4508E-5/TR | 600mA,单锂离子电池充电器 |
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WS4518D-6/TR | 300mA,单锂离子电池充电器 |
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ESD56031N-2/TR | TVS二极管 VRWM=4.6V VBR(Min)=4.7V VC=10V IPP=45A Ppk=540W DFN1006-2L |
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WPM2031-3/TR | 功率MOSFET 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 10.2pF@10V P Channel 74pF@10V 1.67nC@4.5V +150℃@(Tj) SOT-723 |
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