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驱动电压

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　　驱动电压，使器件开始工作所需的最小供电电压。

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驱动电压技术

冷光片驱动电压范围是多少

冷光片，也称为电致发光片（Electroluminescent Panel，简称EL Panel），是一种利用电场激发荧光材料发光的显示技术。它具有薄型...

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为什么电源占空比会影响驱动电压

电源占空比对驱动电压的影响是一个复杂的电子技术问题，涉及到许多电子元件和电路设计的原理。电源占空比的定义和作用电源占空比是指在一定时间内，电源输出的...

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igbt焊机驱动电压怎样测量

IGBT焊机驱动电压的测量是一个专业且复杂的技术问题，涉及到电子电路、测量技术、焊接工艺等多个方面。一、IGBT焊机概述 IGBT（Insulated...

2024-08-07 标签：IGBT 晶体管电压信号 804 0

igbt驱动波形主要看什么参数

IGBT（绝缘栅双极晶体管）驱动波形是电力电子技术中非常重要的一个方面，它直接影响到IGBT的开关速度、损耗、可靠性等性能指标。在本文中，我们将介绍IG...

2024-07-25 标签：驱动 IGBT 晶体管 967 0

igbt如何选择合适的驱动电压

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。IGBT...

2024-07-25 标签：IGBT 电力电子驱动电压 888 0

igbt驱动电压有尖峰和低峰吗

可能会出现尖峰和低峰现象。IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和B...

2024-07-25 标签：IGBT 晶体管尖峰 907 0

igbt驱动电压多少伏正常范围

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2024-07-25 标签：IGBT 驱动电压功率半导体器件 2493 0

igbt驱动电压过高过低的后果

IGBT的工作原理和结构 IGBT是一种三端子功率半导体器件，由N型外延层、P型衬底、N型缓冲层、P型集电区、N型发射区、栅极和发射极组成。IGBT的工...

2024-07-25 标签：发射极 IGBT驱动驱动电压 1063 0

达林顿模块驱动电压是几伏

达林顿模块（Darlington Module）是一种电子元件，通常用于功率放大器、驱动器和开关电路中。它由两个或多个晶体管组成，具有较高的电流增益和电...

2024-07-15 标签：模块功率放大器电子元件 728 0

外置OTP及主动降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特点有哪些

深圳银联宝科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN带OTP保护及主动降功率功能的PD快充芯片，与之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...

2024-05-21 标签：OTP GaN VDD 767 0

一个超声波发射电路或者接收电路可以接多个探头吗？

在超声波检测系统中，探头的使用通常取决于特定的应用需求和系统设计。一个超声波发射电路或接收电路理论上可以连接多个探头，但在实际操作中，这种做法可能会受到...

2024-05-13 标签：超声波探头接收电路 458 0

功率MOSFET的正反向导通等效电路图

功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系...

2024-03-07 标签：二极管 MOSFET 等效电路 949 0

IGBT典型过流保护电路设计分享

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2024-02-23 标签：IGBT 光电耦合器过流保护电路 1.1万 0

IGBT内部结构过热和过流的区别

IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个 P+基板（IGBT 的集电极），形成P...

2024-02-19 标签：MOSFET IGBT NPN晶体管 2.4万 0

掌握MOS管规格书，参数缩写全解析

MOSFET在雪崩效应发生时能够承受的电流和电压能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。参数：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

2024-01-26 标签：电流 MOSFET MOS管 2307 0

为什么小功率无刷直流电机中的MOS管会烧毁？

若该电阻太大，因为MOS管会有结电容，管子太大充电速度慢，管子很长时间达不到饱和开通状态，从而过热烧毁。该电阻阻值一般10k以内即可。

2024-01-24 标签：二极管 MOS管电压控制 1303 0

什么是负载开关IC？使用负载开关IC的优点负载开关IC的便捷功能

负载开关IC是以串联方式插入电源与负载电路或IC之间的一个半导体开关。

2024-02-17 标签：电源管理电池充电器负载开关 2455 1

必易微KP85402栅极驱动器解决方案

KP85402 开关节点耐压为 650V，输出峰值拉电流和灌电流能力分别为 300mA 和 1000mA，专用于驱动功率 MOSFETs 或 IGBTs...

2024-01-06 标签：微控制器 dsp mcu 581 0

IGBT模块的门极驱动介绍

额定门极驱动电压：门极驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时，门极-发射极间的氧化膜（SiO2）有可能发生绝缘破坏或导致可靠性下降。

2024-01-05 标签：电源电压 IGBT模块驱动电流 3129 0

SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。

2023-12-20 标签：MOSFET 电磁干扰 SiC 4317 2

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