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标签 > 驱动电压
驱动电压,使器件开始工作所需的最小供电电压。
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IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种广泛应用于电力电子领域的功率半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等特点。在IGBT的应用过程中,驱动电...
对MOS管在开关状态下的Miller效应的原因与现象进行分析
MOS管的米勒效应会在高频开关电路中,延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性,可谓是臭名昭著,各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
MOSFET在雪崩效应发生时能够承受的电流和电压能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。参数:雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
SiC设计干货分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
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2023-12-05 标签:SiC驱动电压SiC MOSFET 2056 0
IGBT的工作原理和结构 IGBT是一种三端子功率半导体器件,由N型外延层、P型衬底、N型缓冲层、P型集电区、N型发射区、栅极和发射极组成。IGBT的工...
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