驱动电压

IGBT内部结构过热和过流的区别

IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个 P+基板（IGBT 的集电极），形成P...

2024-02-19 标签：MOSFETIGBTNPN晶体管 2.4万 0

桥式可逆pwm变换器电路分析

它们之间的关系是: Ug1≠Ug4=_Ug2=-Ug3。 在个开关周期内，当0≤tston时， Uab= Us，电枢电流id沿回路1流通:当ton≤t...

2018-08-20 标签：脉冲驱动电压可逆PWM变换器 1.6万 0

LED 常见的规格全方面介绍分析

LED 常见的规格有哪些 ？ 彩色 LED光色波长 Wave Length 波峰长（Peak Wavelength） ： 频谱中辐射能量最强的波长， λ...

2020-12-18 标签：led光强度驱动电流 1.2万 0

关于MOS管功率选型分析

在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏...

2019-06-18 标签：MOS管电源电路驱动电压 1.2万 0

IGBT典型过流保护电路设计分享

所谓集中过电流保护，就是检测逆变桥输入直流母线上的电流，当该电流值超过设定的阈值时，封锁所有桥臂IGBT的驱动信号。

2024-02-23 标签：IGBT光电耦合器过流保护电路 1.1万 0

一个神奇的振荡升压电路—焦耳小偷电路概述

焦耳小偷（Joule Thief）可以榨干一颗电池的能量，即使是平常所谓“用光了”的旧电池，通过它也能继续发挥“余热”。所以将其形象地比喻为电能量“焦耳...

2023-09-07 标签：三极管升压电路振荡器 1.0万 3

Buck电路中的自举电容如何取值？计算依据是什么？

在电子电路中，具有动态特性的器件往往是我们难以理解和掌握的，典型的动态特性器件如电感和电容

2023-11-21 标签：MOSFET隔离电源buck电路 9978 0

MOS管的基本结构 MOS管的二级效应

本章首先介绍了MOS管的基本结构并推导了其I/V特性，并阐述MOS管的二级效应，如体效应、沟道长度调制效应和亚阈值传导等，之后介绍了MOS管的寄生电容，...

2023-10-02 标签：MOS管寄生电容CMOS集成电路 4784 0

步进电机振动的测量方法

振动的测量不同于噪音测量所示的规格，振动测量方法及振动计有很多种。振动传感器包括位移计、速度针、加速度计等，其中与速度成比例的电动型以及与加速度成比例的...

2019-12-11 标签：脉冲步进电机驱动电压 4541 0

SiC MOSFET驱动电压尖峰与抑制方法分析（上）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。

2023-12-18 标签：MOSFETemc电磁干扰 4464 1

SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。

2023-12-20 标签：MOSFET电磁干扰SiC 4317 2

差分线是如何去定义的呢

差分线本身没有什么特别，决定它们特性的是这两条传输线上的信号传输方式。差分线除了传输差分信号，还有共模信号，前一种是大小相等方向相反的驱动电压，后一种是...

2022-08-16 标签：lvds差分阻抗共模信号 3602 0

SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因

开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直...

2022-06-02 标签：变换器功率半导体驱动电压 3264 0

IGBT模块的门极驱动介绍

额定门极驱动电压：门极驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时，门极-发射极间的氧化膜（SiO2）有可能发生绝缘破坏或导致可靠性下降。

2024-01-05 标签：电源电压IGBT模块驱动电流 3129 0

针对一字型悬臂梁RF MEMS开关的两种降低驱动电压RF MEMS开关方法

通过理论分析和仿真，并与传统的一字型悬臂梁作对比，验证了增大局部驱动面积和降低弹性系数可以减小悬臂梁开关的驱动电压。

2020-08-15 标签：RFMEMS开关驱动电压 2649 0