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标签 > 3D NAND闪存
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随着数据量的迅速增大,主流存储技术也在迅速向前推进中。3D NAND闪存从2014年的24层,到2016年的48层,到2017年的64层,再到2018年...
美光科技(Micron)16日宣布进一步推动DRAM产品的革新,其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y n...
3D NAND开发竞争加剧 “5bit/cell”技术也出现了
3D NAND闪存高密度技术正变得越来越激进。3D NAND闪存密度和容量的提高主要通过增加垂直方向上堆叠的存储器单元的数量来实现。通过这种三维堆叠技术...
国产手机势头越来越强劲,把三星和苹果的市场份额抢占不少,但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失,就比如闪存芯片,这基本上被韩国厂商垄断了。近日,高启全接受媒...
芯闻早报:明年国产闪存芯片将亮相 苹果下周发布MacBook
今日芯闻早报:2017年中国将推自主生产3D NAND闪存 32层堆栈;2035年无人驾驶汽车将占全球汽车销量的四分之一;标准型DRAM市场供不应求;S...
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