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标签 > 3d nand

3d nand

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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限,容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间,但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

文章:91 视频:3 浏览:29112 帖子:2

3d nand技术

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2024-03-19 标签:3d nand芯片制程 973 0

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2024-02-19 标签:DRAMNAND半导体制造 1497 0

3D NAND层数“争霸赛”,300层虽迟但到

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众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限,容量越高的芯片可以增加硬盘...

2023-08-30 标签:闪存数据传输固态硬盘 600 0

什么是硅或TSV通路?使用TSV的应用和优势

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存储芯片是什么 存储芯片的分类及发展历史

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2023-07-07 标签:fpgaasic存储芯片 1.4万 0

典型3D NAND闪存结构技术分析

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这种存储技术的成功与其不断扩展密度和成本的能力有关——这是 NAND 闪存技术发展的主要驱动力。大约每两年,NAND 闪存行业就会显着提高位存储密度,以...

2023-06-27 标签:存储器3d nand随机存取存储器 2117 0

高端性能封装平台的主要技术趋势解析

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2023-06-16 标签:存储器封装技术3d nand 661 0

浅谈400层以上堆叠的3D NAND的技术

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3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度,可支持在更小的空间...

2023-06-15 标签:NAND存储芯片蚀刻技术 2199 0

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

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纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使...

2023-05-30 标签:晶体管蚀刻工艺3d nand 1727 0

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3d nand资讯

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000层

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3...

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三星计划全面提高DDR5产量,过去一个月上涨5-10%

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如何看待3D DRAM技术?

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2023-04-04 标签:闪存NAND3d nand 1696 0

2023年存储产业技术应用展望

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)存储产业在2022年经历了市场行情下跌、价格下滑、原厂缩减资本支出等形势。不过数据中心、汽车、工业等需求仍然坚挺。市场波动...

2023-01-22 标签:存储3d nandPCIe 5.0 3995 0

存储供应商正在竞相为 3D NAND 添加更多层

西门子 EDA技术产品经理 Ben Whitehead 表示:“处理器的摩尔定律在过去几年中一直滞后,但对于 NAND 闪存来说仍然存在并且很好 。” ...

2022-08-30 标签:存储器堆叠3d nand 755 0

PCIe 5.0进入快车道 加速NAND的迭代升级

预计到2025年,国内企业级SSD市场规模将增至489亿元,5年间复合增速约25%,而PCIe SSD市场份额比例将增至90%。

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传三星预将芯片制造价格上调至多20%;美光首发232层3D NAND,将于2022年末量产

传三星预将芯片制造价格上调至多 20%   根据外媒的最新消息,三星正就将芯片制造价格提高20%进行商议。值得注意的是,除了三星之外,台积电此前也宣布,...

2022-05-15 标签:三星电子芯片制造美光 1.2万 0

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3d nand数据手册

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