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3d nand

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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

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3d nand技术

3D NAND的沟道通孔刻蚀工艺步骤

沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。这些通孔贯穿整个堆叠结构，并填充了导电材料，它们在每个...

2024-03-20 标签：刻蚀 3d nand 1093 0

3D NAND的主要制作流程

SiO2与SiNx交替镀膜，每层膜层在几十纳米左右。根据产品的不同，膜层的层数也不同。图中只是示意图，只有几层。但实际有64，128，400层等层数。

2024-03-19 标签：3d nand 芯片制程 957 0

关于半导体价值链分析（设计、制造和后制造）

半导体价值链的制造阶段包括晶圆制造、前段制程、中段制程、后段制程和远端制程。

2024-02-19 标签：DRAM NAND 半导体制造 1479 0

3D NAND层数“争霸赛”，300层虽迟但到

众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘...

2023-08-30 标签：闪存数据传输固态硬盘 593 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的应用和优势

TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力，而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头，半导体器件的微型化也越来越依赖于集成T...

2023-07-25 标签：存储器 TSV 3d nand 755 0

存储芯片是什么存储芯片的分类及发展历史

存储芯片是半导体行业中非常重要的一类产品，我们日常所有的电子设备基本都会用到存储器。据WSTS预测，2023年全球存储芯片市场规模将达到1675亿美元，...

2023-07-07 标签：fpga asic 存储芯片 1.4万 0

典型3D NAND闪存结构技术分析

这种存储技术的成功与其不断扩展密度和成本的能力有关——这是 NAND 闪存技术发展的主要驱动力。大约每两年，NAND 闪存行业就会显着提高位存储密度，以...

2023-06-27 标签：存储器 3d nand 随机存取存储器 2108 0

高端性能封装平台的主要技术趋势解析

3D 堆栈存储器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的贡献者，到 2028 年占总市场份额的 70% 以上。增长最快的四大 =平台是 3D ...

2023-06-16 标签：存储器封装技术 3d nand 659 0

浅谈400层以上堆叠的3D NAND的技术

3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间...

2023-06-15 标签：NAND 存储芯片蚀刻技术 2180 0

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使...

2023-05-30 标签：晶体管蚀刻工艺 3d nand 1714 0

存储芯片将走向何方？存储芯片的分类

应用了闪存堆叠技术的3D NAND Flash的出现，比以往的2D NAND Flash提供了更大存储空间，满足了业界日益增长的存储需求，因而成为主流。

2023-04-10 标签：NAND 存储芯片 3d nand 1759 0

研华提供最新存储和内存全面解决方案！

数据安全是研华解决方案的核心。研华SQFlash系列提供全方位保护，包括数据加密（TCG-OPAL、FIPS）、数据安全擦除和异常断电保护。

2022-09-02 标签：闪存技术 3d nand 智慧交通 1932 0

3D NAND的层是否数物理限制？

美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D ...

2022-08-29 标签：NAND 3d nand 597 0

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案

2022-01-10 标签：存储器 EUV 3d nand 2775 0

pSLC带来的“新”存储容量伪SLC如何兼顾耐用性和经济性

（作者：Swissbit AG 存储解决方案总经理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新...

2021-11-16 标签：闪存 NAND 存储 1.9万 0

深入解析泛林集团Striker ICEFill电介质填充技术

沉积技术是推进存储器件进步的关键要素。但随着3D NAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性已开始凸显。

2021-02-22 标签：DRAM 3d nand 存储器件 2146 0

探讨半导体制造原子层刻蚀与沉积工艺的自限性反应

原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士分享了他对这个话题的看法。技术节点的每次进步都要求...

2021-02-08 标签：半导体行业 3d nand 7731 0

原子级工艺实现纳米级图形结构的要求

技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度，比30个硅原子稍大一点。半导体制造已经跨越了从纳...

2020-06-02 标签：制造工艺 EUV 3d nand 2404 0

市场对于3D NAND的需求有多大?140层3D NAND层数还会远吗?

而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，4...

2018-06-03 标签：东芝闪存芯片 3D NAND 5893 0

一文读懂3D NAND存储器进化史

通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来，促成了NAND 技术进一步成熟。

2018-04-16 标签：存储器 3D NAND 1.3万 0

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